[发明专利]发光装置在审
| 申请号: | 202010553313.5 | 申请日: | 2020-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN112103377A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
| 发明(设计)人: | 山下裕介;大野泰弘;下田阳一 | 申请(专利权)人: | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/56 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,该发光装置包括:
基板;
电极,该电极形成在所述基板上;
发光元件,该发光元件被设置在所述基板上并且电连接到所述电极;
可变光吸收层,该可变光吸收层被形成为覆盖所述基板上的所述电极,所述可变光吸收层包含因被紫外光照射而改变光吸收特性的多个金属氧化物颗粒;以及
密封体,该密封体形成在所述基板上以便密封所述发光元件,所述密封体对于从所述发光元件发射的光而言具有半透明性。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述可变光吸收层被形成为直至所述基板的上表面的端部部分,并且所述可变光吸收层具有暴露于外部大气的侧表面。
3.根据权利要求1所述的发光装置,所述发光装置还包括:
框体,该框体被形成为包围所述基板上的所述发光元件,其中,
所述可变光吸收层形成在所述基板上的所述框体内的区域中,并且
所述密封体被形成为掩埋所述基板上的所述发光元件、所述可变光吸收层和所述框体。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述可变光吸收层中的所述多个金属氧化物颗粒具有因被所述紫外光照射而改变带隙的特性。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其中,
所述可变光吸收层包括吸收区域,所述吸收区域形成在距所述可变光吸收层的上表面预定深度处的区域中,所述吸收区域包含多个金属氧化物颗粒,并且所述多个金属氧化物颗粒因被所述紫外光照射而对于从所述发光元件发射的光而言具有吸收性。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其中,
所述可变光吸收层包括散射反射区域,所述散射反射区域设置为比所述吸收区域更靠近基板侧,所述散射反射区域包含多个金属氧化物颗粒,并且所述多个金属氧化物颗粒对于从所述发光元件发射的光而言具有散射特性和反射性。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述多个金属氧化物颗粒包含多个氧化钛颗粒或氧化锌颗粒。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述发光元件包括支撑基板和半导体层,并且所述半导体层由所述支撑基板支撑并且包括发光层,并且
所述可变光吸收层形成在不超过所述基板上的所述发光元件的所述发光层的高度处。
9.一种发光装置,该发光装置包括:
基板;
多个电极,该多个电极形成在所述基板上;
多个发光元件,该多个发光元件被并排放置在所述基板上,并且电连接到相应的多个电极;
可变光吸收层,该可变光吸收层被形成为覆盖所述基板上的所述多个电极,所述可变光吸收层包含因被紫外光照射而改变光吸收特性的多个金属氧化物颗粒;以及
密封体,该密封体形成在所述基板上以便密封所述多个发光元件,所述密封体对于从所述多个发光元件发射的光而言具有半透明性。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其中,
所述多个发光元件被配置为发射具有互不相同的峰值波长的光。
11.根据权利要求10所述的发光装置,其中,
所述可变光吸收层中的所述多个金属氧化物颗粒因被所述紫外光照射而改变对于从所述多个发光元件发射的光中的至少部分的光吸收特性。
12.根据权利要求9所述的发光装置,其中,
所述基板具有相互分开设置的多个凹陷部,
所述多个发光元件被单独地设置在相应多个凹陷部的底部部分上,并且
所述可变光吸收层包括多个个体可变光吸收层,所述多个个体可变光吸收层单独地形成在相应多个凹陷部的所述底部部分上,并且所述多个个体可变光吸收层因被所述紫外光照射而改变对于从相应多个凹陷部内的所述发光元件发射的光的吸收特性。
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