[发明专利]聚酰亚胺光刻胶及其使用方法

权利要求书

1.一种聚酰亚胺光刻胶，其特征在于，以重量份计，包括如下原料组分：

聚酰亚胺树脂 100份、

光酸发生剂 0.5～5份，及

热交联剂 5～10份；

所述聚酰亚胺树脂的制备方法包括如下步骤：将二胺单体和二酐单体进行聚合反应；对所述聚合反应所得产物中的羧基进行酯化；

其中，所述二胺单体和/或所述二酐单体的结构中包含酚羟基，所述二胺单体与二酐单体的摩尔比为0.5～1：1。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺光刻胶，其特征在于，所述二胺单体具有如下所示结构特征：

其中，R₂选自单键、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、羰基、磺酸基或芳基；y分别独立地选自0、1、2或3；

所述二酐单体具有如下所示结构特征：

其中，R₁选自C5～C20芳基醚、C1～C4直链烷基或环烷基、C1～C4直链烷氧基或环烷氧基、羰基、磺酸基或芳基；x分别独立地选自0、1、2或3，且x、y不同时为0；

及\或，所述聚酰亚胺树脂的分子量为500～20000。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺光刻胶，其特征在于，所述热交联剂的烯基含量为2～4个。

4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺光刻胶，其特征在于，所述热交联剂选自如下化合物中的至少一种：

其中，n、m、p、q分别独立地为1～10的整数；

R分别独立地选自C1～C4烷基、C1～C4烷氧基或芳基。

5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺光刻胶，其特征在于，所述光酸发生剂选自用于i线、g线或g-h-i线曝光的iPAG，或用于KrF或ArF曝光的PAG；其中，

所述iPAG选自如下化合物中的至少一种：

所述PAG选自如下化合物中的至少一种：

R¹分别独立地选自C1～C4烷基、C1～C4烷氧基或芳基。

6.根据权利要求1～5任一项所述的聚酰亚胺光刻胶，其特征在于，其原料组分还包括表面活性剂，所述表面活性剂选自非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂中的至少一种。

7.一种聚酰亚胺光刻胶的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：

将权利要求1～6任一项所述聚酰亚胺光刻胶涂布在基底上，烘烤，制备光刻胶膜；

将所述光刻胶膜依次进行曝光、显影和热固化处理步骤，制备固化膜。

8.根据权利要求7所述聚酰亚胺光刻胶的使用方法，其特征在于，所述烘烤的条件包括：烘烤温度为115～125℃，时间为0.5～1.5min。

9.根据权利要求7所述聚酰亚胺光刻胶的使用方法，其特征在于，所述热固化处理的温度为150～350℃，时间为10min～120min。

10.根据权利要求7～9任一项所述聚酰亚胺光刻胶的使用方法，其特征在于，所述固化膜的厚度为0.2～10微米。