[发明专利]一种新型AMOLED显示结构及其制备方法

权利要求书

1.一种新型AMOLED显示结构，其特征在于，包括电容区域结构；

所述电容区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层，所述第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述玻璃层表面，所述画素定义层上设有一个第一过孔，所述第一过孔中填充有所述阴极金属层，所述第一过孔中的阴极金属层与所述第三金属层远离玻璃层的一侧面接触。

2.根据权利要求1所述的新型AMOLED显示结构，其特征在于，还包括TFT1区域结构，所述TFT1区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT1区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述TFT1区域结构的玻璃层表面，所述TFT1区域结构的第二绝缘层上设有两个第二过孔，所述TFT1区域结构的第二金属层分别填充于两个所述第二过孔中，所述TFT1区域结构的第二金属层与所述TFT1区域结构的半导体层远离所述TFT1区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述TFT1区域结构的画素定义层上设有第三过孔，所述第三过孔中填充有有机发光材料。

3.根据权利要求1所述的新型AMOLED显示结构，其特征在于，还包括TFT2区域结构，所述TFT2区域结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层，所述TFT2区域结构的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层、第三金属层、画素定义层和阴极金属层依次设置在所述TFT2区域结构的玻璃层表面；

所述TFT2区域结构的第二绝缘层上设有两个第四过孔，所述TFT2区域结构的第一绝缘层和第二绝缘层分别对应所述TFT2区域结构的第一金属层的位置设有一个子节点过孔，两个所述子节点过孔相对设置且连通，所述TFT2区域结构的第二金属层分别填充于所述第四过孔和子节点过孔中，所述第四过孔中填充的第二金属层与所述TFT2区域结构的第二金属层远离TFT2区域结构的玻璃层的一侧面接触，所述子节点过孔中填充的第二金属层与所述TFT2区域结构的半导体层远离TFT2区域结构的玻璃层的一侧面接触。

4.根据权利要求1所述的新型AMOLED显示结构，其特征在于，所述阴极金属层为半透明金属层。

5.根据权利要求1所述的新型AMOLED显示结构，其特征在于，所述阴极金属层的厚度为0.01μm-0.3μm。

6.根据权利要求1所述的新型AMOLED显示结构，其特征在于，所述阴极金属层为U字型。

7.一种权利要求1所述的新型AMOLED显示结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一电容区域结构的玻璃层，且在玻璃层表面上覆盖有第一金属层；

S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于所述第一金属层表面；

S3、形成一第二绝缘层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；

S4、形成一第二金属层，且覆盖于所述第二绝缘层表面；

S5、形成一第三绝缘层，且覆盖于所述第二金属层表面；

S6、形成一平坦层，且覆盖于所述第三绝缘层表面；

S7、形成一第三金属层，且覆盖于所述平坦层表面；

S8、形成一画素定义层，覆盖于所述第三金属层表面且与所述平坦层接触；

S9、于所述画素定义层中形成一个第一过孔，在第一过孔中形成阴极金属层，且阴极金属层与第三金属层远离玻璃层的一侧面接触。

8.根据权利要求7所述的新型AMOLED显示结构的制备方法，其特征在于，所述阴极金属层为半透明金属层。