[发明专利]导线结构及其制造方法在审
| 申请号: | 202010552795.2 | 申请日: | 2020-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN113808999A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
| 发明(设计)人: | 陈皇男 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导线 结构 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种导线结构及其制造方法。导线结构的制造方法包括以下步骤。提供基底。在基底上形成导体层。通过自对准双重图案化工艺在导体层上形成矩形环状间隔件。形成图案化光刻胶层。图案化光刻胶层暴露出矩形环状间隔件的第一部分与第二部分。第一部分与第二部分位于矩形环状间隔件的对角线上的两个角落处。利用图案化光刻胶层作为掩模,移除第一部分与第二部分,而形成第一间隔件与第二间隔件。第一间隔件与第二间隔件为L形。移除图案化光刻胶层。将第一间隔件的图案与第二间隔件的图案转移至导体层,而形成L形的第一导线与L形的第二导线。上述导线结构的制造方法可提升接触窗与导线之间的对准裕度。
技术领域
本发明涉及一种半导体元件及其制造方法,尤其涉及一种导线结构及其制造方法。
背景技术
随着半导体技术的进步,元件的尺寸也不断地缩小。当积体电路的集成度增加时,导线的临界尺寸(critical dimension)以及导线与导线之间的距离会随着缩小。当导线的临界尺寸缩小时,会导致后续形成的接触窗难以与导线进行对准,而降低接触窗与导线之间的对准裕度(alignment margin)。此外,当导线与导线之间的距离缩小时,接触窗容易同时连接到相邻两条导线而产生短路的问题。
发明内容
本发明提供一种导线结构及其制造方法,其可提升接触窗与导线之间的对准裕度,且可防止在相邻两条导线之间产生短路的问题。
本发明提出一种导线结构的制造方法,包括以下步骤。提供基底。在基底上形成导体层。通过自对准双重图案化(self-alignment double patterning,SADP)工艺在导体层上形成矩形环状间隔件(spacer)。形成图案化光刻胶(photoresist)层。图案化光刻胶层暴露出矩形环状间隔件的第一部分与第二部分。第一部分与第二部分位于矩形环状间隔件的对角线上的两个角落处。利用图案化光刻胶层作为掩模,移除第一部分与第二部分,而形成第一间隔件与第二间隔件。第一间隔件与第二间隔件为L形。移除图案化光刻胶层。将第一间隔件的图案与第二间隔件的图案转移至导体层,而形成L形的第一导线与L形的第二导线。
本发明提出一种导线结构,包括第一导线与第二导线。第二导线位于第一导线的一侧。第一导线包括第一导线部与第一接垫(pad)部。第一导线部在第一方向上延伸,且具有第一端与第二端。第一接垫部连接于第一导线部的第一端。第二导线包括第二导线部与第二接垫部。第二导线部在第二方向上延伸,且具有第三端与第四端。第三端邻近于第一端,且第四端邻近于第二端。第二方向为第一方向的相反方向。第二接垫部连接于第二导线部的第四端。第一假想延伸部从第一导线部的第二端以远离第一导线部的第一端的方式在第一方向上延伸。第二假想延伸部从第二导线部的第三端以远离第二导线部的第四端的方式在第二方向上延伸。第一接垫部朝第二假想延伸部延伸但不与第二假想延伸部相交。第二接垫部朝第一假想延伸部延伸但不与第一假想延伸部相交。
基于上述,在本发明所提出的导线结构的制造方法中,通过自对准双重图案化工艺、图案化工艺与图案转移工艺形成L形的第一导线与L形的第二导线,因此可有效地简化工艺,以降低工艺复杂性。此外,由上述方法所制作的L形的第一导线与L形的第二导线可增加用来与后续形成的接触窗进行电性连接的面积,因此可有效地提高接触窗与第一导线之间的对准裕度以及接触窗与第二导线之间的对准裕度。此外,通过上述方法可弹性调整第一导线与第二导线之间的距离,因此可防止因接触窗同时连接到第一导线与第二导线所产生的短路问题。
此外,在本发明所提出的导线结构中,由于第一导线与第二导线分别具有第一接垫部与第二接垫部,因此可有效地提高接触窗与第一导线之间的对准裕度以及接触窗与第二导线之间的对准裕度。另外,由于第一接垫部朝第二假想延伸部延伸但不与第二假想延伸部相交,且第二接垫部朝第一假想延伸部延伸但不与第一假想延伸部相交,因此可防止因接触窗同时连接到第一导线与第二导线所产生的短路问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
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