[发明专利]光检测器件及电子装置在审
| 申请号： | 202010552753.9 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN111799288A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/10;H04N5/225;H04N5/359;H04N5/369;H04N5/374;H04N9/04;G02B1/118 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李晗;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 器件 电子 装置 | ||
1.一种光检测器件，其包括：
半导体基板，所述半导体基板的光接收表面包含第一蛾眼结构和第二蛾眼结构；
第一光电转换区域，所述第一光电转换区域位于所述半导体基板中；
第二光电转换区域，所述第二光电转换区域位于所述半导体基板中，且所述第二光电转换区域邻近所述第一光电转换区域；
沟槽，所述沟槽布置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间；
第一滤色器，所述第一滤色器布置在所述第一蛾眼结构上方；和
第二滤色器，所述第二滤色器布置在所述第二蛾眼结构上方，
其中，所述第一光电转换区域构造为接收穿过所述第一滤色器和所述第一蛾眼结构的第一光，且所述第二光电转换区域构造为接收穿过所述第二滤色器和所述第二蛾眼结构的第二光，
其中，所述第一滤色器的峰值光谱灵敏度不同于所述第二滤色器的峰值光谱灵敏度，且
其中，所述第一蛾眼结构与所述第二蛾眼结构具有相同形状。
2.如权利要求1所述的光检测器件，其中，所述第一蛾眼结构包含多个第一凹入部，且所述第二蛾眼结构包含多个第二凹入部。
3.如权利要求2所述的光检测器件，其中，所述第一蛾眼结构中所述第一凹入部的数量等于所述第二蛾眼结构中所述第二凹入部的数量。
4.如权利要求2所述的光检测器件，其中，所述第一蛾眼结构中相邻的所述第一凹入部之间的间距等于所述第二蛾眼结构中相邻的所述第二凹入部之间的间距。
5.如权利要求2所述的光检测器件，其中，在剖面图中，在深度方向上，所述第一蛾眼结构中所述第一凹入部的深度与所述第二蛾眼结构中所述第二凹入部的深度相同。
6.如权利要求1所述的光检测器件，其中，所述沟槽中填充有绝缘材料。
7.如权利要求6所述的光检测器件，其中，在所述绝缘材料中填充有遮光材料。
8.如权利要求1所述的光检测器件，其中，在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间的没有形成所述第一蛾眼结构和所述第二蛾眼结构的部分中形成有平坦部。
9.如权利要求8所述的光检测器件，其中，在所述平坦部上形成有遮光膜。
10.一种包括如权利要求1-9中任一项所述的光检测器件的电子装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
