[发明专利]用于衬底的表面处理的方法和设备在审
| 申请号： | 202010552512.4 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111549328A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | M.温普林格 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 表面 处理 方法 设备 | ||
1.一种用于衬底（1）的衬底表面（1o）的表面处理的设备，具有：
用于接纳所述衬底（1）的处理室，和
用于在非晶层（2、2'、2）在所述衬底表面（1o）处形成的情况下使所述衬底表面（1o）非晶化的装置，其中所述非晶层（2、2'、2）的厚度d＞0nm。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述非晶化进行直至所述非晶层（2、2'、2）的厚度d＜100nm。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述非晶化进行直至所述非晶层（2、2'、2）的厚度dd＜50nm。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述非晶化进行直至所述非晶层（2、2'、2）的厚度d＜10nm。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述非晶化进行直至所述非晶层（2、2'、2）的厚度d＜5nm。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述非晶化进行直至所述非晶层（2、2'、2）的厚度d＜2nm。
7.根据权利要求1至6之一所述的设备，其中所述非晶化被执行，使得所述衬底表面（1o、1o'）的平均粗糙度减小。
8.根据权利要求1至6之一所述的设备，其中所述非晶化被执行，使得所述衬底表面（1o、1o'）的平均粗糙度减小到小于10nm的平均粗糙度。
9.根据权利要求1至6之一所述的设备，其中所述非晶化被执行，使得所述衬底表面（1o、1o'）的平均粗糙度减小到小于8nm的平均粗糙度。
10.根据权利要求1至6之一所述的设备，其中所述非晶化被执行，使得所述衬底表面（1o、1o'）的平均粗糙度减小到小于6nm的平均粗糙度。
11.根据权利要求1至6之一所述的设备，其中所述非晶化被执行，使得所述衬底表面（1o、1o'）的平均粗糙度减小到小于4nm的平均粗糙度。
12.根据权利要求1至6之一所述的设备，其中所述非晶化被执行，使得所述衬底表面（1o、1o'）的平均粗糙度减小到小于2nm的平均粗糙度。
13.根据权利要求1至6之一所述的设备，其中所述非晶化通过以粒子与所述衬底表面（1o、1o'）的粒子碰撞被引起。
14.根据权利要求1至6之一所述的设备，其中所述非晶化通过以离子与所述衬底表面（1o、1o'）的粒子碰撞被引起。
15.根据权利要求1至6之一所述的设备，其中所述非晶化通过以粒子与所述衬底表面（1o、1o'）的粒子碰撞通过加速所述粒子被引起。
16.根据权利要求13所述的设备，其中能够自由地选择以及设置在衬底表面（1o、1o'）与离子束之间的入射角，其中所述入射角位于75°与90°之间。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述入射角为90°。
18.根据权利要求13所述的设备，其中所述粒子的动能被设置为在1eV与1000keV之间。
19.根据权利要求13所述的设备，其中所述粒子的动能被设置为在1eV与100keV之间。
20.根据权利要求13所述的设备，其中所述粒子的动能被设置为在1eV与10keV之间。
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