[发明专利]一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法

说明书

本发明提供一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法，用以解决在存储数据过程中，如果增加或删除某些存储内容则会造成读取错误的问题；一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法，包括以下步骤：S1:根据旧的map文件获取数据的内容和存储位置；S2:和新的map文件进行比较；S3:如果内容和存储位置相同，直接刷写新的数据；S4:如果内容和存储位置不同，将原始的数据放在新的map文件中数据对应的位置进行数据存储；本发明的有益效果为：提高了存储数据的精确性。

技术领域

本发明属于汽车电子技术领域，尤其涉及一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法。

背景技术

EEPROM通常用于断电后需要保留运行时可修改数据的应用中。在汽车电子领域，通常使用EEPROM来存储重要数据，但是一些设备中不包含EEPROM，所以使用FLASH来模拟EEPROM的存储功能。目前在汽车电子中，设备后，将汽车相关的数据存入模拟的EEPROM中，以便于下一次上电后获取数据。

在存储数据过程中，如果增加或删除某些存储内容，下一次上电读取会导致数据移位，读取的数据不是原本存入这一地址的内容，造成读取错误。

发明内容

本发明提供一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法，用以解决在存储数据过程中，如果增加或删除某些存储内容则会造成读取错误的问题。

一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法，包括以下步骤：

S1:根据旧的map文件获取数据的内容和存储位置；

S2:和新的map文件进行比较；

S3:如果内容和存储位置相同，直接刷写新的数据；

S4:如果内容和存储位置不同，将原始的数据放在新的map文件中数据对应的位置进行数据存储。

本发明的有益效果为：提高了存储数据的精确性。

附图说明

图1为本发明方法流程示意图；

图2为现阶段数据地址与内容不匹配时的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。

在存储数据过程中，如果增加或删除某些存储内容，数据对应的地址会发生偏移，读取数据时，如果从原地址读取，会出现数据不匹配的现象(如图2)。

为了解决此问题，本发明提供一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法，包括以下步骤：

S1:根据旧的map文件获取数据的内容和存储位置；

S2:和新的map文件进行比较；

S3:如果内容和存储位置相同，直接刷写新的数据；

S4:如果内容和存储位置不同，将原始的数据放在新的map文件中数据对应的位置进行数据存储。

需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。