[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的着落焊盘；

下电极，在所述着落焊盘上并且连接到所述着落焊盘，所述下电极包括：

外部分，所述外部分包括第一区域和第二区域，以及

内部分，在所述外部分内部；

电介质膜，在所述下电极上以沿着所述外部分的所述第一区域延伸；以及

在所述电介质膜上的上电极，

其中所述下电极的所述外部分包括金属掺杂剂，所述外部分的所述第一区域中的所述金属掺杂剂的浓度不同于所述外部分的所述第二区域中的所述金属掺杂剂的浓度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述外部分的所述第一区域中的所述金属掺杂剂的浓度高于所述外部分的所述第二区域中的所述金属掺杂剂的浓度。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述外部分的整个所述第二区域掺有所述金属掺杂剂。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述外部分的所述第二区域包括第一子区域和第二子区域，所述第一子区域包括所述金属掺杂剂，所述第二子区域不包括所述金属掺杂剂。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述着落焊盘上的蚀刻停止膜，所述蚀刻停止膜暴露所述着落焊盘的至少部分，所述外部分的所述第二区域与所述蚀刻停止膜接触。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述衬底上并且与所述下电极接触的支撑图案，所述外部分的所述第二区域与所述支撑图案接触。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述外部分包括具有所述下电极的侧壁的侧部部分和具有所述下电极的顶表面的顶部部分，以及

所述外部分的所述侧部部分包括所述外部分的所述第一区域和所述第二区域。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属掺杂剂包括锡(Sn)、钼(Mo)、铌(Nb)、钽(Ta)、铟(In)、镍(Ni)、钴(Co)、钨(W)、钒(V)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)和钌(Ru)中的至少一种。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极呈在所述衬底的厚度方向上延伸的柱或圆柱体的形状。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极包括沿着所述着落焊盘的顶表面延伸的底部部分和从所述底部部分突出的侧壁部分。

11.一种半导体器件，包括：

在衬底上的着落焊盘；

下电极，在所述着落焊盘上并且连接到所述着落焊盘，所述下电极在所述衬底的厚度方向上延伸；

与所述下电极的部分接触的至少一个支撑图案；

电介质膜，沿着所述下电极的外表面和所述至少一个支撑图案的外表面延伸；以及

在所述电介质膜上的上电极，

其中所述下电极的所述外表面至少部分地掺有金属掺杂剂，在所述下电极的所述外表面的在所述下电极与所述电介质膜之间的部分中的所述金属掺杂剂的浓度高于在所述下电极的所述外表面的在所述下电极与所述至少一个支撑图案之间的部分中的所述金属掺杂剂的浓度。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述下电极的所述外表面的在所述下电极与所述至少一个支撑图案之间的所述部分包括不具有所述金属掺杂剂的部分。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述至少一个支撑图案不包括所述金属掺杂剂。

14.如权利要求11所述的半导体器件，其中：

所述至少一个支撑图案包括所述金属掺杂剂，以及

所述至少一个支撑图案的所述外表面掺有所述金属掺杂剂。