[发明专利]一种伐度司他晶型及其制备方法

权利要求书

1.一种如式I所示的化合物的晶型，其特征在于，所述晶型选自下组：晶型AZT-I、晶型AZT-II、晶型AZT-III，

其中，所述晶型AZT-I的XRPD图包括3个或3个以上选自下组的2θ值：7.4°±0.2°、15.9°±0.2°、23.7°±0.2°、26.4°±0.2°；

所述晶型AZT-II的XRPD包括3个或3个以上选自下组的2θ值：6.4°±0.2°、10.3°±0.2°、18.5°±0.2°、25.8°±0.2°；

所述晶型AZT-III的XRPD图包括3个或3个以上选自下组的2θ值：4.3°±0.2°、8.5°±0.2°、15.3°±0.2°、23.3°±0.2°。

2.如权利要求1所述的晶型，其特征在于，所述晶型AZT-I具有选自下组的一个或多个特征：

1)所述晶型AZT-I的XRPD图包括6个或6个以上选自下组的2θ值：7.4°±0.2°、15.9°±0.2°、18.9°±0.2°、22.3°±0.2°、23.2°±0.2°、23.7°±0.2°、26.4°±0.2°、28.9°±0.2°；

2)所述晶型AZT-I加热至100℃时具有约0.05％的失重。

3.如权利要求1所述的晶型，其特征在于，所述晶型AZT-I具有选自下组的一个或多个特征：

1)所述晶型AZT-I的XRPD图包括6个或6个以上选自下组的2θ值：7.4°±0.2°、11.8°±0.2°、13.5±0.2°、15.9°±0.2°、18.9°±0.2°、20.1°±0.2°、20.7°±0.2°、22.4°±0.2°、23.2°±0.2°、23.7°±0.2°、25.3°±0.2°、26.4°±0.2°、27.9°±0.2°、28.9°±0.2°、30.1°±0.2°。

2)所述晶型AZT-I具有基本如图1所示的XRPD图；

3)所述晶型AZT-I具有基本如图2所示的TGA图；

4)所述晶型AZT-I具有基本如图3所示的DSC图。

5)所述晶型AZT-I具有基本如图4所示的¹H NMR图谱。

4.如权利要求1所述的晶型，所述晶型AZT-II具有选自下组的一个或多个特征：

1)所述晶型AZT-II的XRPD图包括6个或6个以上选自下组的2θ值：6.4°±0.2°、7.0°±0.2°、9.1°±0.2°、10.3°±0.2°、13.0°±0.2°、14.6°±0.2°、16.6°±0.2°、18.5°±0.2°、25.8°±0.2°。

2)所述晶型AZT-Ⅱ加热至100℃时具有约0.7％的失重。

5.如权利要求1所述的晶型，所述晶型AZT-II具有选自下组的一个或多个特征：

1)所述晶型AZT-II的XRPD图包括6个或6个以上选自下组的2θ值：6.4°±0.2°、7.0°±0.2°、9.1°±0.2°、10.3°±0.2°、13.0°±0.2°、13.8°±0.2°、14.6°±0.2°、16.6°±0.2°、17.4°±0.2°、18.5°±0.2°、20.7°±0.2°、23.2°±0.2°、23.8°±0.2°、24.7°±0.2°、25.0°±0.2°、25.8°±0.2°、26.7°±0.2°、27.2°±0.2°、28.4°±0.2°、29.6°±0.2°、29.8°±0.2°、31.3°±0.2°。

2)所述晶型AZT-II具有基本如图7所示的XRPD图；

3)所述晶型AZT-II具有基本如图8所示的TGA图；

4)所述晶型AZT-II具有基本如图9所示的DSC图；

5)所述晶型AZT-II具有基本如图10所示的¹H NMR图谱。