[发明专利]一种WPCW管结构

说明书

本发明公开了一种WPCW管结构，包括衬底，所述衬底上设有化合物参杂。本发明通过衬底结合化合物参杂，结构更加简单，不仅没有寄生电容或寄生电阻，而且没有电迁移效应，实现功耗低，不易受电磁干扰，另外带宽更高、生产工艺简单。

技术领域

本发明涉及数字IC技术领域，具体来说，涉及一种WPCW管结构。

背景技术

IC就是半导体元件产品的统称，IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC。数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，是近年来应用最广、发展最快的IC品种，可分为通用数字IC和专用数字IC。通用IC：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型的电路，如存储器(DRAM)、微处理器(MPU)及微控制器(MCU)等，反映了数字IC的现状和水平。专用IC(ASIC)：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。

目前市场上普遍使用的数字IC单元为MOS管，通过基本单元的组合形成基本电路结构再将基本电路结构组合成拥有目标功能的芯片电路，目前现有的技术存在寄生效应、发热、电迁移效应、容易受到电磁干扰的问题。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

针对相关技术中的问题，本发明提出一种WPCW管结构，通过衬底结合化合物参杂，结构更加简单，不仅没有寄生电容或寄生电阻，而且没有电迁移效应，实现功耗低，不易受电磁干扰，另外带宽更高、生产工艺简单，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种WPCW管结构，包括衬底，所述衬底上设有化合物参杂。

进一步的，所述化合物参杂为光致发光参杂或光致变色参杂。

进一步的，所述衬底为二氧化硅、半导体或聚合物。

本发明的有益效果：

本发明通过衬底结合化合物参杂，结构更加简单，不仅没有寄生电容或寄生电阻，而且没有电迁移效应，实现功耗低，不易受电磁干扰，另外带宽更高、生产工艺简单。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本发明实施例的一种WPCW管结构的结构示意图；

图2是根据本发明实施例的一种WPCW管结构的连接示意图；

图3是根据本发明实施例的一种WPCW管结构的场景示意图一；

图4是根据本发明实施例的一种WPCW管结构的场景示意图二；

图5是根据本发明实施例的一种WPCW管结构的场景示意图三；

图6是根据本发明实施例的一种WPCW管结构的应用示意图；

图7是根据本发明实施例的一种WPCW管结构的应用平面示意图；

图8是根据本发明实施例的一种WPCW管结构的应用电路示意图。

图中：

1、衬底；2、化合物参杂。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。