[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202010547329.5 | 申请日: | 2017-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN111653583A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
| 发明(设计)人: | 李冠锋;乐瑞仁;陈逸安;郑凯;林芳莹;谢朝桦 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/58;H01L33/44 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
阵列基板;
发光元件,配置于所述阵列基板上;
绝缘层,配置于所述阵列基板上;以及
遮光层,配置于所述发光元件的周围,其中所述遮光层具有上表面,
其中所述绝缘层覆盖所述遮光层的所述上表面,且在于垂直所述阵列基板的垂直方向上,所述绝缘层配置于所述遮光层与所述发光元件之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述发光元件的上表面到所述阵列基板的最大距离与所述遮光层的所述上表面到所述阵列基板的最大距离的差值介于0~5μm之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
导电结构,配置于所述阵列基板上,其中所述发光元件包括电极,所述导电结构与所述电极电性连接。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
遮光图案层,位于对向基板上,其中所述遮光图案层的厚度大于所述遮光层的厚度。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述遮光图案层与所述遮光层之间具有一距离。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述对向基板还包括第二基板与波长转换图案,其中所述波长转换图案配置于所述第二基板上。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述遮光图案层垂直投影至所述阵列基板的投影面积小于所述绝缘层垂直投影至所述阵列基板的投影面积。
8.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,还包括:
光学密封层,配置于所述遮光图案层与所述遮光层之间。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
光学密封层,配置于所述发光元件上。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述光学密封层覆盖所述发光元件。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述发光元件的高度大于所述遮光层的高度。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述发光元件包括发光结构,所述发光结构包括上表面,所述遮光层的所述上表面到所述阵列基板的最大距离大于所述发光结构的所述上表面到所述阵列基板的最大距离。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
至少两个发光单元,其中每一个所述发光单元包含至少一个所述发光元件,所述绝缘层覆盖至少两个所述发光单元。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述遮光层于垂直所述阵列基板方向上的高度介于1μm到20μm之间。
15.一种显示装置,其特征在于,包括:
阵列基板;
发光元件,具有第一电极以及第二电极,配置于所述阵列基板上,其中所述发光元件具有第一上表面;
遮光层,配置于所述发光元件的周围,其中所述遮光层具有第二上表面;
驱动信号线,配置于所述遮光层上;以及
第一导电结构,配置于所述遮光层上,其中所述第一导电结构与所述驱动信号线属于同一膜层,
其中所述第一上表面与所述第二上表面在垂直所述阵列基板的方向上具有一距离,且所述距离介于0~5μm之间。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于,还包括:
第二导电结构,配置于绝缘层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010547329.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能阳台围板
- 下一篇:绿色再生能量有效网络
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





