[发明专利]一种去除金属镓的装置及方法

权利要求书

1.一种去除金属镓的装置，其特征在于，包括：

一装置本体，所述装置本体包括一工艺腔室；

所述工艺腔室内盛放有用于去除激光剥离后残留于微发光二极管芯片表面的金属镓的流体；

其中，所述流体具有一大于等于所述金属镓熔点的温度；

还包括设置在所述工艺腔室内的用于检测所述工艺腔室内工艺参数的传感器；

所述传感器包括温度传感器和真空度传感器；所述温度传感器用于检测所述工艺腔室内的流体的温度；所述真空度传感器用于检测所述工艺腔室内的真空度；

所述工艺腔室包括一流体入口和一流体出口；

所述流体入口和流体出口处均还设有用于检测流体温度的温度检测器和用于检测流体流量的流量检测器。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传感器包括液位传感器；所述液位传感器用于检测所述工艺腔室内的流体的液位。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述流体入口和流体出口处均设置有用于控制流体流量的阀门。

4.如权利要求1-3任一项所述的装置，其特征在于，所述工艺腔室顶部设有用于抽真空的抽气口，所述抽气口透过一抽真空管道连接至一真空泵。

5.一种去除金属镓的方法，其特征在于，基于一种去除金属镓的装置，所述装置包括一工艺腔室；所述方法包括：

提供一经激光剥离后的暂存基板；其中，所述暂存基板上粘附有若干微发光二极管芯片；

将所述暂存基板转移至所述工艺腔室中；以及

向所述工艺腔室内通入一定量的流体，以去除所述微发光二极管芯片表面残留的金属镓；

其中，所述流体具有一大于等于所述金属镓的熔点的温度；

向所述工艺腔室内填充惰性气体，以防止所述微发光二极管芯片上残留的金属镓发生氧化反应。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述工艺腔室包括一流体入口和流体出口；所述向所述工艺腔室内通入流体，以去除所述微发光二极管芯片表面残留的金属镓的步骤包括：

关闭所述流体出口，并透过所述流体入口处向所述工艺腔室内通入流体；

在通入流体的过程中，实时检测所述工艺腔室内流体的液位和温度；

响应于检测到所述工艺腔室内流体的液位和温度达到预设参数，则开启所述流体出口，使携带有金属镓的流体从所述流体出口流出。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在向所述工艺腔室内通入流体之前，还包括：

判断所述工艺腔室内的真空度是否满足预设要求。

8.如权利要求5-7任一项所述的方法，其特征在于，所述流体为不与所述微发光二极管芯片发生反应的流体。