[发明专利]具有多保护环结构的萧特基二极管

权利要求书

1.一种具有多保护环结构的萧特基二极管，包含：

一半导体基层；

一背金属层，是设置于该半导体基层的一侧；

一外延层，是形成于该半导体基层相对于该背金属层的另一侧，并具有一晶胞区与一终止区，且该外延层包含：

一终端沟槽结构，是位于该晶胞区与该终止区的交界处；

一第一离子布植保护环，是在该终止区内邻接于该终端沟槽结构，并具有一第一宽度；

一第二离子布植保护环，是在该终止区内与该第一离子布植保护环间隔设置，并具有一小于该第一宽度的第二宽度；以及

一第三离子布植保护环，是在该终止区内与该第二离子布植保护环间隔设置，并具有一小于该第二宽度的第三宽度；

一介电层，是在该终止区内堆叠于该终端沟槽结构、该第一离子布植保护环、该第二离子布植保护环以及该第三离子布植保护环；

一第一金属层，包含：

一本体部，是在该晶胞区内堆叠于该终端沟槽结构，并自该晶胞区延伸至该终止区而堆叠位于该第一离子布植保护环上方的该介电层；以及

一分隔部，是在该终止区内堆叠于该介电层，并朝该外延层延伸穿过该介电层而电性接触该第三离子布植保护环，且该分隔部是与该本体部形成一露出该介电层的沟槽；

一钝化层，是在该晶胞区内部分堆叠于该本体部，并延伸至该终止区内堆叠于该本体部、该沟槽、该分隔部与该介电层；以及

一第二金属层，是在该晶胞区内堆叠于该第一金属层与该钝化层，并自该晶胞区延伸至该终止区而堆叠位于该第一离子布植保护环上方的该钝化层。

2.如权利要求1所述的具有多保护环结构的萧特基二极管，其中，该第二离子布植保护环是以一第一间距与该第一离子布植保护环间隔设置，该第三离子布植保护环是以一第二间距与该第二离子布植保护环间隔设置，且该第二间距大于该第一间距。

3.如权利要求2所述的具有多保护环结构的萧特基二极管，其中，该第一间距与该第二间距的比例为1:1.2。

4.如权利要求1所述的具有多保护环结构的萧特基二极管，其中，该第一宽度、该第二宽度与该第三宽度的比例为4:2:1。

5.如权利要求1所述的具有多保护环结构的萧特基二极管，其中，该介电层包含一正硅酸乙酯薄膜与一硼磷硅玻璃薄膜，该正硅酸乙酯薄膜是在该终止区内堆叠于该外延层，该硼磷硅玻璃薄膜是在该终止区内堆叠于该正硅酸乙酯薄膜。

6.如权利要求1所述的具有多保护环结构的萧特基二极管，其中，该外延层还包含多个晶胞沟槽结构，所述晶胞沟槽结构是位于该晶胞区内。