[发明专利]一种具有高效散热结构的封装基板及其制造方法有效
| 申请号: | 202010546656.9 | 申请日: | 2020-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN111883431B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
| 发明(设计)人: | 陈先明;杨威源;黄本霞;冯磊;谢炳森 | 申请(专利权)人: | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/683;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李翔;鲍胜如 |
| 地址: | 519175 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 高效 散热 结构 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有高效散热结构的封装基板的制造方法,包括如下步骤:
(a)准备临时承载体;
(b)在所述临时承载体的表面设置粘合层;
(c)在所述粘合层上施加金属层;
(d)在所述金属层的表面施加光阻层并图案化;
(e)在所述光阻层的图案中填充金属形成通孔柱;
(f)移除所述光阻层和金属层;其中,移除所述金属层后暴露出的粘合层仍具有粘性;
(g)在暴露出的粘合层上贴附器件;
(h)用封装材料包封所述器件和通孔柱;
(i)减薄所述封装材料以露出所述通孔柱的端部;
(j)移除所述器件上表面上的封装材料;
(k)移除所述临时承载体和粘合层;
(l)在所得结构的上下表面上施加金属层;在所述器件的端子面和背面上的金属层上施加散热层;以及形成重新布线层。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中所述粘合层包括双面胶带。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其中所述双面胶带两面的粘性不同。
4.根据权利要求3所述的制造方法,其中步骤(b)包括将双面胶带的粘性较大的一面贴合在所述临时承载体的表面上。
5.根据权利要求4所述的制造方法,其中步骤(c)包括将所述双面胶带的粘性较小的一面上施加金属层。
6.根据权利要求1所述的制造方法,其中步骤(c)中金属层选自钛、镍、钒、铜、铝、钨、铬、银和金中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的制造方法,其中步骤(e)包括在光阻层图案中电镀填充铜形成铜通孔柱。
8.根据权利要求1所述的制造方法,其中步骤(g)包括将器件设置在相邻通孔柱之间的空腔内并粘贴在暴露出的粘合层上。
9.根据权利要求1所述的制造方法,其中步骤(h)中的封装材料选自环氧树脂、苯并环丁烯树脂、聚酰亚胺树脂中的至少其一。
10.根据权利要求1所述的制造方法,其中步骤(i)包括通过磨板或等离子蚀刻的方式减薄所述封装材料以暴露出所述通孔柱的端部。
11.根据权利要求1所述的制造方法,其中步骤(j)包括通过激光开孔或光刻开孔的方式移除所述器件的上表面上的封装材料。
12.根据权利要求5所述的制造方法,其中步骤(k)包括通过直接剥离所述粘合层来移除所述临时承载体和粘合层。
13.根据权利要求1所述的制造方法,其中所述金属层的材料为铜,所述散热层的材料选自铜、镍、银、金和其合金中的至少其一。
14.根据权利要求1所述的制造方法,其中步骤(l)还包括:
在所述金属层表面上施加光刻胶并图案化;
在图案中填充金属形成重新布线层;
移除所述光刻胶;和
移除暴露的金属层。
15.根据权利要求1~14任一项所述的制造方法得到的具有高效散热结构的封装基板,其中,包括封装层和嵌入在封装层中的器件和金属通孔柱,所述器件设置在相邻的金属通孔柱之间,所述器件具有被其高度分隔开的端子面和背面,其中在所述器件的端子面和背面上设置有散热层和重新布线层。
16.根据权利要求15所述的封装基板,还包括在重新布线层上增层形成的附加层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





