[发明专利]一种涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种涂层的制备方法，其特征在于：所述涂层包括沉积于基体表面的Cr层及沉积于Cr层上的TiMoCN层；

所述涂层的制备方法，包括以下步骤：

（1）对基体表面进行前处理；

（2）开启多弧离子镀镀膜机，对基体表面进行离子清洗；

（3）采用电弧镀在基体表面进行离子轰击活化；

（4）采用电弧镀在基体表面沉积Cr层，具体操作为：调整多弧离子镀镀膜机的偏压为100-200V，在基体表面沉积Cr层，沉积时间为5-10分钟；

（5）采用电弧镀在Cr层上沉积TiMoCN层，具体操作为：关闭Cr靶，停止通氩气，抽真空，缓慢通入氮气和乙炔，控制乙炔气体流量在10-20sccm,使得多弧离子镀镀膜机的真空室内压强保持在0.2-0.4Pa，开启TiMo靶，TiMo靶的弧电流为80-120A，沉积时间40-60分钟。

2.根据权利要求1所述的涂层的制备方法，其特征在于：所述基体为金属或陶瓷。

3.根据权利要求1所述的涂层的制备方法，其特征在于：步骤（1）中前处理的具体操作为：对基体进行打磨、抛光、超声清洗和烘干。

4.根据权利要求1所述的涂层的制备方法，其特征在于：步骤（2）中离子清洗的具体操作为：将进行过前处理的基体置于多弧离子镀镀膜机的真空室中，抽真空，再充入氩气至真空室内压强为2.0-4.0Pa，开启偏压电源，脉冲负偏压为650-750V，占空比为40%-60%，进行氩离子辉光清洗8-15分钟。

5.根据权利要求1所述的涂层的制备方法，其特征在于：步骤（3）中离子轰击活化的具体操作为：调整氩气流量，至多弧离子镀镀膜机的真空室中真空度达到0.2-0.5Pa，开启Cr靶，弧电流为65-100A，对基体进行离子轰击，轰击时间为5-10分钟。

6.根据权利要求1所述的涂层的制备方法，其特征在于：所述Cr靶的纯度不小于99.96%；所述TiMo靶的纯度不小于99.96%。

7.根据权利要求1所述的涂层的制备方法，其特征在于：所述TiMo靶中Mo的质量分数为8-10%。