[发明专利]一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010544794.3 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111900253A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 张宇;王彦皓;韩琳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;H01L31/0224;H01L31/113;H01L31/18 |
| 代理公司： | 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 37247 | 代理人： | 刘娜 |
| 地址： | 250013 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 钙钛矿 新型 异质结 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，包括半导体基底和位于其上表面的二氧化铪层，所述二氧化铪层上表面设有源极电极和漏极电极，所述二氧化铪层上表面位于所述源极电极和漏极电极之间设有钙钛矿薄膜，所述半导体基底下表面设置栅极电极。
2.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，所述钙钛矿薄膜上表面设置钝化保护层。
3.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，所述二氧化铪层的厚度为5-50nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，所述钙钛矿薄膜为有机钙钛矿材料或无机钙钛矿材料。
5.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件，其特征在于，所述钙钛矿薄膜为通过旋涂方法或外延生长方法获得。
6.一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)通过原子层沉积的方法在半导体基底表面生长一层二氧化铪层；
(2)通过掩膜版设计源极电极和漏极电极的样式和沟道的长度，并通过电子束蒸发的方式在二氧化铪层上沉积源极电极和漏极电极；
(3)通过旋涂方法或外延生长方法在源极电极和漏极电极之间的二氧化铪层上制备钙钛矿薄膜，形成钙钛矿/HfO2异质结构的光电器件。
7.根据权利要求6所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件的制备方法，其特征在于，在得到钙钛矿薄膜后，在钙钛矿薄膜上表面沉积钝化保护层。
8.根据权利要求6所述的一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件的制备方法，其特征在于，所述旋涂方法具体如下：首先通过化学合成方法，制备钙钛矿胶体；然后将钙钛矿胶体滴加到源极电极和漏极电极之间的二氧化铪层表面，烘干得到连续的钙钛矿薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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