[发明专利]芯片元件

权利要求书

1.一种芯片元件，包含：衬底；

无机绝缘层，形成在所述衬底之上；

有机绝缘层，形成在所述无机绝缘层之上；以及

LC电路，包含形成在所述无机绝缘层内的电容器、及电感器，所述电感器以电连接于所述电容器的方式形成在所述有机绝缘层内。

2.根据权利要求1所述的芯片元件，其中所述LC电路包含L型滤波器电路，所述L型滤波器电路包含1个所述电容器及1个所述电感器。

3.根据权利要求1或2所述的芯片元件，其中所述LC电路包含T型滤波器电路，所述T型滤波器电路包含1个所述电容器及2个所述电感器。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片元件，其中所述LC电路包含π型滤波器电路，所述π型滤波器电路包含2个所述电容器及1个所述电感器。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片元件，其中所述LC电路包含梯形滤波器电路，所述梯形滤波器电路包含多个所述电容器及多个所述电感器。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片元件，其中所述LC电路包含椭圆滤波器电路，所述椭圆滤波器电路包含多个所述电容器及多个所述电感器。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片元件，其中所述电容器包含：下电极，配置在所述无机绝缘层内；及上电极，以隔着所述无机绝缘层的一部分而与所述下电极对向的方式配置在所述无机绝缘层内。

8.根据权利要求7所述的芯片元件，其中所述上电极在所述无机绝缘层的积层方向上与所述下电极对向。

9.根据权利要求7或8所述的芯片元件，其进而包含虚设电极，所述虚设电极与所述下电极隔开间隔地配置在所述无机绝缘层内配置着所述下电极的层中，并形成为电浮动状态。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的芯片元件，其中所述电感器的厚度大于所述无机绝缘层的厚度。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的芯片元件，其中所述电感器包含配置在所述有机绝缘层内的螺旋状线圈导体。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的芯片元件，其中所述LC电路包含配线，所述配线在所述无机绝缘层内电连接于所述电容器，在所述有机绝缘层内电连接于所述电感器。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的芯片元件，其中所述无机绝缘层的厚度小于所述衬底的厚度，且

所述有机绝缘层的厚度大于所述无机绝缘层的厚度。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的芯片元件，其中所述有机绝缘层的厚度大于所述衬底的厚度。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的芯片元件，其包含芯片主体，所述芯片主体兼作封装体，具有包含所述衬底、所述无机绝缘层及所述有机绝缘层的积层结构。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的芯片元件，其进而包含多个外部端子，所述多个外部端子从所述有机绝缘层露出并电连接于所述LC电路。

17.一种芯片元件，包含：衬底；

无机绝缘层，形成在所述衬底之上；

有机绝缘层，形成在所述无机绝缘层之上；

电容器，包含配置在所述无机绝缘层内的下电极、及上电极，所述上电极以隔着所述无机绝缘层的一部分而与所述下电极对向的方式配置在所述无机绝缘层内；以及

电感器，包含配置在所述有机绝缘层内的螺旋状线圈导体，且与所述电容器之间形成LC电路。