[发明专利]漂移探测器及其加工方法

说明书

本说明书提供一种漂移探测器及其加工方法，漂移探测器包括：衬底；设置在所述衬底两个表面上，用于使所述衬底上形成漂移区的漂移电极；以及贯穿所述衬底的集电电极；所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。因为集电电极贯穿衬底设置，所以电子在移动至集电电极区域后可以立即被收集，无需在垂直于衬底表面方向漂移。相比于现有结构的漂移探测器，本说明书提供的漂移探测器无需设置前述的反向偏压，也就避免了因为现有技术中反向偏压设置不合理造成的电子损失的问题。

技术领域

本说明书涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种漂移探测器。

背景技术

漂移探测器是用于检测高能射线的半导体探测器(一般情况下的漂移探测器均为硅基探测器)。在漂移探测器工作时，其中的漂移电极使得衬底处在完全耗尽状态，高能射线撞击入射窗口形成的多数载流子沿着器件表面的方向漂移至收集电极并被收集起来。

目前，硅漂移探测器的收集电极都是在器件的单面上形成，高能射线产生的载流子在横向漂移电场的作用下漂移至收集电极下方区域后，然后再通过与收集电极正对面的另一PN节施加合适的反向偏压，将载流子推向收集电极。如果在收集电极正对面PN节上施加的反向电压不合适，会造成载流子的损失。

发明内容

本说明书提供一种新型结构的漂移探测器，用于至少部分克服背景技术提及的问题。

本说明书提供一种漂移探测器，包括：

衬底；

设置在所述衬底两个表面上，用于使所述衬底上形成漂移区的漂移电极；以及，

贯穿所述衬底的集电电极；所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。

可选地，所述集电电极为贯穿所述衬底的环形电极；

所述漂移探测器还包括设置在所述集电电极中间，并且贯穿所述衬底的金属电极。

可选地，位于所述衬底两个表面上的漂移电极相对于所述衬底对称地设置。

可选地，所述漂移电极为多个环绕所述集电电极的漂移环。

可选地，还包括设置在所述衬底上，并且位于相邻两个漂移环的高阻分压器；

所述高阻分压器与相邻的两个所述漂移环导电连接。

可选地，所述高阻分压器为设置在所述衬底上的高阻掺杂区；。

可选地，各个所述漂移环上均设置有金属电极环。

可选地，还包括设置在所述衬底，环绕所述漂移电极外侧的保护区；所述保护区包括设置在所述衬底上掺杂保护环，以及设置在在所述保护环上的金属电极环。

本说明书还提供一种漂移探测器的加工方法，

包括在衬底上形成漂移电极的步骤和在衬底上形成集电电极的步骤；其中，在衬底中形成集电电极的步骤中，使所述集电电极贯穿所述衬底。

可选地，在衬底中形成集电电极的步骤包括：

在衬底上形成通孔；

在通孔的侧壁上沉积所述集电电极。

本说明书提供的漂移探测器中，因为集电电极贯穿衬底设置，所以电子在移动至集电电极区域后可以立即被收集，无需在垂直于衬底表面方向漂移。相比于现有结构的漂移探测器，本说明书提供的漂移探测器无需设置前述的反向偏压，也就避免了因为现有技术中反向偏压设置不合理造成的电子损失的问题。