[发明专利]一种碳基芯片特碳材料的制备方法及应用

权利要求书

1.一种碳基芯片特碳材料的制备方法，其特征在于，包括：

将原料压制成有机块状物，按重量份计，所述原料包括：有机物焦化粉40~95份、有机物气流磨粉5~60份、有机成型剂10~20份；

将所述有机块状物进行热压烧结，得到碳素块；

将碳素块进行回火处理，得到碳基芯片特碳材料；

所述有机物焦化粉对应同种的有机物气流磨粉；

所述有机物为聚乙烯、苯、萘、环氧树脂、聚酰胺中的一种；

所述有机成型剂为糯米成型剂；

所述热压烧结具体包括：

将有机块状物进行升压升温，使压力和温度分别升至40~80Mpa和800~1200℃后，进行保温保压；

所述回火处理的温度为1000~3100℃。

2.根据权利要求1所述的碳基芯片特碳材料的制备方法，其特征在于，所述有机物焦化粉通过如下步骤制备得到：

提供有机物；

将所述有机物进行焦化处理，得到有机物焦化粉，其中所述焦化处理的温度为400~600℃。

3.根据权利要求1所述的碳基芯片特碳材料的制备方法，其特征在于，所述有机物焦化粉的粒径为0.5~10微米；

所述有机物气流磨粉的粒径为0.5~10微米。

4.根据权利要求1所述的碳基芯片特碳材料的制备方法，其特征在于，按重量份计，所述原料包括：有机物焦化粉60份、有机物气流磨粉20份、有机成型剂20份。

5.根据权利要求1所述的碳基芯片特碳材料的制备方法，其特征在于，在所述热压烧结前，还包括：将所述有机块状物加热至100-200℃，进行脱水预处理。

6.一种如权利要求1所述的碳基芯片特碳材料在制备碳基芯片中的应用。