[发明专利]界面优化型钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202010543059.0 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111653671A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈静;王照奎 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 崔玉琳 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 界面 优化 型钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种界面优化型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，由下而上依次为导电玻璃基片、电子传输层、钙钛矿功能层、空穴传输层、空穴修饰层和阴极电极；所述空穴传输层的材料选自SPIRO-OMeTAD、P3HT和PTAA中的一种或多种，所述空穴修饰层的材料为HAT-CN，所述阴极电极为金属电极或非金属电极；所述空穴修饰层的厚度为5-15nm。
2.根据权利要求1所述的界面优化型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述金属电极选自Ag、Au或Cu，所述非金属电极为碳。
3.根据权利要求2所述的界面优化型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层的材料为SPIRO-OMeTAD，所述阴极电极为Ag。
4.根据权利要求1所述的界面优化型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述导电玻璃基片的材料为透明且可导电的掺杂氧化物，所述掺杂氧化物选自掺杂氟的氧化锡、掺杂锡的氧化铟或掺杂铝的氧化锌。
5.根据权利要求1所述的界面优化型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层的材料选自金属氧化物、富勒烯C60和PC61BM中的一种或多种，所述金属氧化物包括TiO2、SnO2、ZnO、Al2O3和ZrO2中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的界面优化型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿功能层的材料选自有机-无机杂化钙钛矿、无机钙钛矿或双钙钛矿。
7.根据权利要求1所述的界面优化型钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为180-200nm，所述阴极电极的厚度为80-120nm。
8.一种权利要求1-7中任一项所述的界面优化型钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述导电玻璃基片上依次沉积所述电子传输层、钙钛矿功能层、空穴传输层、空穴修饰层和阴极电极；采用一步旋涂法沉积所述钙钛矿功能层和空穴传输层，采用真空蒸镀法沉积所述空穴修饰层和阴极电极。
9.根据权利要求8所述的界面优化型钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述一步旋涂的旋转转速为2000-5000rpm，旋转时间为20-40秒，退火时间为5-15min。
10.根据权利要求8所述的界面优化型钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述空穴修饰层的材料的蒸发速率控制在。
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