[发明专利]一种电容内置的晶体振荡电路

权利要求书

1.一种电容内置的晶体振荡电路，其特征在于，其包括两个单端放大器A23和A24、两个内置电容C21和C22、反相驱动电路I25和限压电路I26；

单端放大器A23的输入端连接到晶体管脚XI，输出端连接到内置电容C21的负端，内置电容C21的正端连接到晶体管脚XI；

单端放大器A24的输入端连接到晶体管脚XO，输出端连接到内置电容C22的负端，内置电容C22的正端连接到晶体管脚XO；

内置电容C21和内置电容C22的电容值相等；

单端放大器包括有输入端I、电阻R31、电阻R32、NMOS管M33和输出端O，NMOS管M33的栅极为单端放大器的输入端I，NMOS管M33的源端连接到电阻R31的一端，电阻R31的另一端连接到地，NMOS管M33的漏端连接到电阻R32的一端，电阻R32的另一端连接到电源，NMOS管M33的漏端为单端放大器的输出端O；

限压电路I26包括有晶体管脚XO、NMOS管M41、PMOS管M42、PMOS管M43、PMOS管M44、电容C45、电流偏置IBIAS、电流源I46，NMOS管M41的栅极连接到晶体管脚XO，NMOS管M41的源极接地，NMOS管M41的漏极与PMOS管M42的漏极和栅极、PMOS管M43的栅极、电容C45的正端相连，PMOS管M43的漏极与PMOS管M44的漏极和栅极、电流源I46的正端相连，作为反相驱动电路I25的电流偏置IBIAS，电流源I46的负端接地，PMOS管M42、M43、M44的源极都接电源；

反相驱动电路I25包括NMOS管M51、晶体管脚XI、PMOS管M52、晶体管脚XO，NMOS管M51的栅极连接到晶体管脚XI，漏极接地；NMOS管M51的漏极与PMOS管M52的漏极相连，连接到晶体管脚XO；PMOS管M52的栅极连接到限压电路I26的输出IBIAS，PMOS管M52的源极接电源。

2.根据权利要求1所述的一种电容内置的晶体振荡电路，其特征在于，内置电容C21和内置电容C22采用MIM电容。

3.根据权利要求1所述的一种电容内置的晶体振荡电路，其特征在于，内置电容C21和内置电容C22的电容值取C_in，单端放大器的增益为A_v，XI和XO对地的等效电容C_x=C_in*(A_v+1)。