[发明专利]超分辨光存储材料

说明书

本发明提供超分辨光存储材料，涉及光存储材料技术领域。该超分辨光存储材料，所述材料为银‑稀土混合物‑二芳基乙烯类衍生物，其分子式为Ag_xM_yR_z,其中，M为镧、钕、铕与钆按照任意比例的稀土混合物，R为二芳基乙烯类化合物，其中，0.02＜x≤0.2，0.01＜y≤0.4，0.08＜z≤0.5。本发明，制备的超分辨光存储材料，具有良好的光稳定性以及热稳定性，室温下半衰期时间得到延长，光存储材料具有寿命长、存储密度高、速率快等特点，具有良好的吸收调制特性。

技术领域

本发明涉及光存储材料技术领域，具体为超分辨光存储材料。

背景技术

光盘存储技术是利用激光在介质上写入并读出信息。这种存储介质最早是非磁性的，以后发展为磁性介质。在光盘上写入的信息不能抹掉，是不可逆的存储介质。用磁性介质进行光存储记录时，可以抹去原来写入的信息，并能够写入新的信息，可擦可写反复使用。

随着高新技术的不断发展，特别是信息技术等高新技术产业的需要，新型光存储技术也应运而生。在光学存储领域，主要特点是有较强的可重复性，大的存储密度，快的响应速度，较长的存储时间。新型光存储材料可以分为相变型、磁光型和电子俘获型光存储技术。但磁光型和相变型光存储材料受磁盘介质的影响较大，速率不够快。而第四代电子俘获型光存储材料的技术优点主要是应用低能量的不同波长的光进行俘获和释放的过程来是实现光的存储和读取。且存储与读取不受物理介质性能退化的影响，且读取速度可以达到纳秒级别。因此，有代表性的第四代光学存储材料即多种稀土离子共掺杂的IIA-VIA宽禁带半导体化合物材料更是受到科研人员的广泛关注。

超分辨光存储技术可以有效提高记录密度，因为其外围空心涡旋光的光抑制作用可以有效减少中心高斯光对材料的光诱导作用，进而增加记录点的分辨率，目前，超分辨光存储技术的研究虽然取得了一定的进展，但是对于超分辨光存储材料来说，仍需进一步研究，现有的超分辨光存储材料光稳定性以及热稳定性都需要进一步提高，室温下半衰期时间较短。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了超分辨光存储材料，解决了现有技术中存在的缺陷与不足。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：超分辨光存储材料，所述材料为银-稀土混合物-二芳基乙烯类衍生物，其分子式为Ag_xM_yR_z,其中，M为镧、钕、铕与钆按照任意比例的稀土混合物，R为二芳基乙烯类化合物；

其中，0.02＜x≤0.2，0.01＜y≤0.4，0.08＜z≤0.5。

优选的，所述镧选自La₂O₃或La₂(CO₃)·8H2O中的一种，所述钕选自Nd₂O₃，所述铕选自Eu₂O₃，所述钆选自Gd₂O₃。

优选的，所述分子式中x的值为0.05-0.1，y的值为0.04-0.2，z的值为0.1-0.3。

优选的，所述材料的制备方法如下：

S1、制备卤化银溶液、稀土混合物以及二芳基乙烯类化合物，准备足量的金属氯化物以及甲醇，备用；

S2、按照摩尔质量比x：y：z称量Ag⁺、稀土混合物以及二芳基乙烯类化合物；

S3、将二芳基乙烯类化合物加入到甲醇溶液中，充分搅拌后加入卤化银溶液以及金属氯化物，搅拌均匀，然后置于稀有气体中静置反应；