[发明专利]一种显示装置制程方法和显示装置有效
| 申请号: | 202010540224.7 | 申请日: | 2020-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN111710645B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 方亮;戴超 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H10K59/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示装置 方法 | ||
1.一种显示装置的制程工艺,其特征在于,包括:
提供一柔性基板,所述柔性基板具有相对设置的第一面和第二面;
在所述第一面沉积无机层;
在所述无机层远离所述柔性基板的一面设有缓冲层;
在所述缓冲层远离所述柔性基板的一面设有有源层;
在所述有源层远离所述柔性基板的一侧沉积第一栅极绝缘层;
在所述第一栅极绝缘层远离所述柔性基板的一面设有第一栅极层;
通过半色调掩膜板在进行曝光,其中,所述半色调掩膜板包括不透光区域,半透光区域以及透光区域,其中,所述不透光区域对应第一栅极层,所述透光区域对应深孔区域;
所述通过半色调掩膜板在进行曝光之后,包括:
在所述第一栅极层远离所述柔性基板的一侧进行蚀刻以形成第一深孔,所述第一深孔从第一栅极层表面延伸至所述无机层;
所述在所述第一栅极层远离所述柔性基板的一侧进行蚀刻以形成第一深孔之后,包括:
在所述第一栅极层远离所述柔性基板的一面设有第二栅极绝缘层;
在所述第二栅极绝缘层远离所述柔性基板的一面设有第二栅极层;
在所述第二栅极层远离所述柔性基板的一面设有介电层,所述介电层覆盖所述第二栅极层;
所述在所述第二栅极层远离所述柔性基板的一面设有介电层之后,包括:
在所述介电层远离所述柔性基板的一面进行第一光罩以形成第二深孔,所述第二深孔从所述介电层表面延伸至所述缓冲层表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制程工艺,其特征在于,所述在所述第二栅极层远离所述柔性基板的一面设有介电层之后,包括:
在所述介电层远离所述柔性基板的一面进行第二光罩以形成接触孔,所述接触孔从所述介电层的表面延伸至所述有源层表面。
3.根据权利要求2所述的显示装置的制程工艺,其特征在于,所述在所述介电层远离所述柔性基板的一面进行第一光罩以形成第二深孔之后,包括:
在所述第一深孔和所述第二深孔内填充深孔层;
在所述接触孔内和介电层以及深孔层远离所述柔性基板的一面沉积源漏极层。
4.根据权利要求3所述的显示装置的制程工艺,其特征在于,所述在所述接触孔内和介电层以及深孔层远离所述柔性基板的一面沉积源漏极层之后,包括:
在所述源漏极层和介电层远离所述柔性基板的一面设置平坦化层;
在所述平坦化层上蚀刻连接孔。
5.根据权利要求4所述的显示装置的制程工艺,其特征在于,所述在所述平坦化层上蚀刻连接孔之后,包括:
在平坦化层远离所述柔性基板的一面沉积像素电极,所述像素电极贯穿连接孔与所述源漏极层连接;
将所述像素电极图案化。
6.根据权利要求5所述的显示装置的制程工艺,其特征在于,所述在平坦化层远离所述柔性基板的一面沉积像素电极之后,包括:
在所述介电层远离所述柔性基板的一面设置像素定义层;
在所述像素定义层远离所述柔性基板的一面设置光阻间隙层。
7.一种显示装置,其特征在于,采用如权利要求1至6任一项所述的显示装置制程方法制造的显示装置。
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