[发明专利]一种多孔碳化硅陶瓷及低温制备方法

权利要求书

1.一种多孔碳化硅陶瓷，其特征在于，所述多孔碳化硅陶瓷的原料包括主料、分散剂、粘结剂和去离子水；

其中，按照重量份数计，所述主料包括80-90重量份的碳化硅、1-5重量份的烧结助剂、4-10重量份的造孔剂和5-10重量份的添加剂；

所述烧结助剂为氧化钾；所述造孔剂为高氯酸铵和碱式碳酸铋的混合物；所述添加剂为氧化钙和二氧化钛的混合物；所述高氯酸铵与碱式碳酸铋的质量比为1：4-10；所述氧化钙与二氧化钛的质量比为3-6：1。

2.根据权利要求1所述的多孔碳化硅陶瓷，其特征在于，所述分散剂为聚乙二醇，其用量为主料总重量的4-6%；所述粘结剂为糊精，其用量为主料总重量的3-5%；所述去离子水的用量为主料总重量的45-55%。

3.权利要求1或2所述的多孔碳化硅陶瓷的低温制备方法，其特征在于，所述低温制备方法包括以下步骤：

（1）将碳化硅、烧结助剂、添加剂与分散剂、粘结剂和去离子水组成的混合液进行球磨混合，得碳化硅浆料；

（2）将所述碳化硅浆料与造孔剂搅拌混合后喷雾造粒，之后于80-150MPa下进行干压成型，得碳化硅素坯；

（3）将所述碳化硅素坯在氩气气氛下进行烧结，得多孔碳化硅陶瓷。

4.根据权利要求3所述的低温制备方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述球磨时间为1-2h。

5.根据权利要求3所述的低温制备方法，其特征在于，在步骤（2）中，所述喷雾造粒的条件为：进料速率为2-3kg/h，进风温度为210-250℃，出风温度为100-110℃。

6.根据权利要求3所述的低温制备方法，其特征在于，在步骤（3）中，烧结条件为：于管式炉中，以30-40ml/min速率向炉内通入氩气，在氩气保护状态下，先以2-5℃/min的速率升至600-800℃，保温0.5-1h，再以4-8℃/min的速率升温至1000-1100℃，保温1-3h，之后自然冷却至室温，得多孔碳化硅陶瓷。