[发明专利]光电二极管波长控制方法及装置在审
申请号: | 202010537364.9 | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN111799649A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 刘宏亮;杨彦伟;李莹;张续朋 | 申请(专利权)人: | 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/06 | 分类号: | H01S5/06;H01S5/10;H01S5/042 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 李雪鹃;刘洁 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电二极管 波长 控制 方法 装置 | ||
1.一种光电二极管波长控制方法,应用于激光装置,所述激光装置包括光电二极管芯片、半导体温度控制器、驱动电芯片,其特征在于,所述光电二极管芯片上设有多个发光条和多对电极,每个发光条对应一对电极,所述方法包括:
接收用户指令,根据所述用户指令控制半导体温度控制器对光电二极管芯片进行温度控制,使光电二极管芯片在当前时刻到达当前目标温度;
根据所述当前目标温度确定光电二极管芯片上对应的目标发光条;
控制所述驱动电芯片对所述目标发光条对应的一对电极进行加电,使目标发光条对应的一对电极作用于目标发光条,使目标发光条激射出包含目标波长的目标激光,所述目标激光具有频谱宽度;
根据所述用户指令控制半导体温度控制器对光电二极管芯片进行温度控制,使光电二极管芯片在当前时刻的下一时刻到达下一时刻目标温度,将下一时刻目标温度作为当前目标温度,执行所述根据当前目标温度确定光电二极管芯片上对应的目标发光条,直至激射出所有不同目标波长的目标激光。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述使目标发光条激射出包含目标波长的目标激光之后,所述方法还包括:
控制所述光电二极管芯片对所述目标激光进行波长筛选,使所述目标激光的频谱宽度达到预设频谱宽度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述当前目标温度确定光电二极管芯片上对应的目标发光条,包括:
在预设的对照列表中查找与所述当前目标温度对应的发光条,将查找到的所述发光条作为目标发光条。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述控制所述驱动电芯片对所述目标发光条对应的一对电极进行加电,使目标发光条对应的一对电极作用于目标发光条,使目标发光条激射出包含目标波长的目标激光,包括:
控制所述驱动电芯片对所述目标发光条对应的一对电极进行加电,使目标发光条对应的一对电极通过目标发光条上的脊波导对目标发光条的量子阱层进行加电调制,使包含目标波长的目标激光从所述目标发光条上激射出来。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述控制所述光电二极管芯片对所述目标激光进行波长筛选,使所述目标激光的频谱宽度达到预设频谱宽度,包括:
控制所述目标发光条上的脊波导对应的光栅对所述目标激光进行光栅筛选,使经过光栅筛选后的目标激光的频谱宽度达到预设频谱宽度。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述控制所述目标发光条上的脊波导对应的光栅对所述目标激光进行光栅筛选,包括:
控制所述目标发光条上的脊波导对应的光栅对所述目标激光通过所述光栅的后沿进行全反射,再通过所述光栅的前沿进行半透半反射,使目标激光的载流子在所述光栅中震荡,以筛选出特定波长的激光。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述光栅通过电子束光刻技术在对应的脊波导正下方形成。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述光电二极管芯片上的光栅腔长大于2mm。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述光电二极管芯片上设有12个或14个发光条。
10.一种光电二极管波长控制装置,其特征在于,光电二极管芯片上设有多个发光条和多对电极,每个发光条对应一对电极,所述装置包括:
温控模块,用于接收用户指令,根据所述用户指令控制半导体温度控制器对光电二极管芯片进行温度控制,使光电二极管芯片在当前时刻到达当前目标温度;
匹配模块,用于根据所述当前目标温度确定光电二极管芯片上对应的目标发光条;
加电模块,用于控制所述驱动电芯片对所述目标发光条对应的一对电极进行加电,使目标发光条对应的一对电极作用于目标发光条,使目标发光条激射出包含目标波长的目标激光,所述目标激光具有频谱宽度;
循环模块,用于根据所述用户指令控制半导体温度控制器对光电二极管芯片进行温度控制,使光电二极管芯片在当前时刻的下一时刻到达下一时刻目标温度,将下一时刻目标温度作为当前目标温度,执行所述根据当前目标温度确定光电二极管芯片上对应的目标发光条,直至激射出所有不同目标波长的目标激光。
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