[发明专利]一种双倍电流IGBT封装结构及其方法

权利要求书

1.一种双倍电流IGBT封装结构，其特征在于，包括基板，所述基板的顶部开设有凹槽，所述凹槽的内部自上而下依次设置有导热层和隔热层，所述导热层的顶部设置有IGBT模块，所述IGBT模块的一侧设置有电极，所述电极从左至右依次贯通所述导热层、所述隔热层和所述基板，并延伸至所述基板的外部，所述基板的底部设置有散热块，所述散热块的底部设置有散热片，所述散热片的内部设置有散热管，所述基板的内部一侧设置有第一导热管，所述基板的内部另一侧设置有第二导热管，所述第一导热管的一端依次贯通所述基板、所述隔热层和所述导热层，所述第一导热管的两端首尾相互连通构成封闭连续的管路，所述第二导热管的一端依次贯通所述基板、所述隔热层和所述导热层，所述二导热管的两端首尾相互连通构成封闭连续的管路，所述第一导热管和所述第二导热管的内部填充有液态金属冷却剂。

2.根据权利要求1所述的一种双倍电流IGBT封装结构，其特征在于：所述第一导热管的形状和大小与所述第二导热管的形状和大小均一致，所述第一导热管和所述第二导热管的形状为连续来回弯曲的结构。

3.根据权利要求1所述的一种双倍电流IGBT封装结构，其特征在于：所述散热管的数量为多根，从左至右横向贯通所述散热片。

4.根据权利要求1所述的一种双倍电流IGBT封装结构，其特征在于：所述电极与所述导热层、所述隔热层、所述基板接触的部分填充有绝缘胶。

5.根据权利要求1所述的一种双倍电流IGBT封装结构，其特征在于：所述第一导热管和所述第二导热管与所述导热层、所述隔热层、所述基板接触的部分填充有散热硅脂。

6.根据权利要求1所述的一种双倍电流IGBT封装结构，其特征在于：所述基板的材料为铜。

7.一种应用于权利要求1-6任一项所述的双倍电流IGBT封装结构的散热方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，热量传递，IGBT模块散发的热量通过导热层分别传递到第一导热管和第二导热管，第一导热管和第二导热管靠近IGBT模块的部分被加热，填充在第一导热管和第二导热管内部的液态金属冷却剂被加热并传递到基板的底部；

S2，热量交换，基板底部的热量传递到散热块，散热块将热量传递到散热片，散热管增大散热片与空气的接触面积，将热量交换到温度相对较低的空气中。