[发明专利]一种具有多沟槽的LDMOS器件

权利要求书

1.一种具有多沟槽的LDMOS器件，包括第二导电类型衬底（201），第一导电类型漂移区（202），第二导电类型体区（203），高掺杂第二导电类型体接触区（204），第一导电类型源区（205），第一导电类型漏区（206），介质层（208），源极（209），平面栅结构和漏极（211）；

所述第一导电类型漂移区（202）位于所述第二导电类型衬底（201）上；所述第二导电类型体区（203）位于所述第一导电类型漂移区（202）中，且位于所述第二导电类型衬底（201）上；所述高掺杂第二导电类型体接触区（204）和第一导电类型源区（205）侧面相互接触的位于所述第二导电类型体区（203）的顶层远离所述第一导电类型漂移区（202）的一侧；所述第一导电类型漏区（206）位于所述第一导电类型漂移区（202）的顶层中远离所述第二导电类型体区（203）的一侧；

所述源极（209）位于所述高掺杂第二导电类型体接触区（204）和第一导电类型源区（205）的第一部分上；所述平面栅结构位于所述第一导电类型源区（205）的第二部分、所述第二导电类型体区（203）和部分所述第一导电类型漂移区（202）上；所述漏极（211）位于所述第一导电类型漏区（206）上；

所述介质层（208）位于源极（209），平面栅结构和漏极（211）之间的所述第一导电类型漂移区（202）上；

其特征在于，还包括第二导电类型多晶硅沟槽区（212）和第二导电类型扩散区（213），所述第二导电类型扩散区（213）位于所述第一导电类型漂移区（202）的顶层，且位于所述第二导电类型体区（203）和所述第一导电类型漏区（206）之间，多个所述第二导电类型多晶硅沟槽区（212）相互间隔的位于所述第二导电类型扩散区（213）的顶层，所述第二导电类型扩散区（213）由所述第二导电类型多晶硅沟槽区（212）扩散形成。

2.根据权利要求1所述的一种具有多沟槽的LDMOS器件，其特征在于，所述平面栅结构包括栅氧化层（207）和位于其上的多晶硅栅电极（210）。

3.根据权利要求1所述的一种具有多沟槽的LDMOS器件，其特征在于，所述介质层（208）为二氧化硅。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种具有多沟槽的LDMOS器件，其特征在于，制备工艺过程中，通过改变光刻版，调整多个第二导电类型多晶硅沟槽区（212）的横向宽度、纵向长度、间距或者沟槽的数目。

5.根据权利要求1-3任一项所述的一种具有多沟槽的LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

6.根据权利要求1-3任一项所述的一种具有多沟槽的LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。