[发明专利]一种TFT基板的连接孔制作方法及TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板的连接孔制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在衬底基板上依次制作栅图案层、栅绝缘层、硅岛图案层、源漏图案层和钝化层；

步骤2：依次对所述钝化层和栅绝缘层进行刻蚀，以使所述钝化层形成连接孔，所述连接孔部分位于所述源漏图案层的漏极上方，以将所述漏极露出，部分位于所述漏极外围，以将位于所述漏极外围处的栅绝缘层露出，以及使所述栅绝缘层在所述漏极外围处形成有与所述连接孔连通的凹槽。

2.根据权利要求1所述的TFT基板的连接孔制作方法，其特征在于，步骤2包括如下步骤：

步骤2.1：在所述钝化层上制作一层光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光显影，以使所述光刻胶形成镂空区域，所述镂空区域部分位于所述漏极上方，以将位于所述漏极上方的部分钝化层露出，部分位于所述漏极外围上方，以将位于所述漏极外围的部分钝化层露出；

步骤2.2：对从所述镂空区域处露出的钝化层进行刻蚀，以在所述钝化层上形成所述连接孔，并将位于所述漏极外围下方的栅绝缘层从所述连接孔处露出；

步骤2.3：对从所述连接孔处露出的栅绝缘层进行刻蚀，以在所述栅绝缘层上形成凹槽，所述凹槽在所述漏极外围处与所述连接孔连通；

步骤2.4：将剩余的光刻胶剥离。

3.根据权利要求1或2所述的TFT基板的连接孔制作方法，其特征在于，所述连接孔位于所述漏极上方的部分占所述连接孔总面积的1/2至3/4，所述连接孔位于所述漏极外围的部分占所述连接孔总面积的1/4至1/2。

4.根据权利要求1或2所述的TFT基板的连接孔制作方法，其特征在于，在步骤2之后，还包括如下步骤：

步骤3：在所述钝化层上制作像素图案层，所述像素图案层在所述连接孔处与所述漏极连接。

5.根据权利要求2所述的TFT基板的连接孔制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层和钝化层可被同一种刻蚀液去除。

6.根据权利要求5所述的TFT基板的连接孔制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层和钝化层为同种或同类材质。

7.根据权利要求6所述的TFT基板的连接孔制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层和钝化层为非金属氧化物、非金属氮化物或非金属氮氧化物。

8.一种TFT基板，包括衬底基板和在所述衬底基板上依次制作的栅图案层、栅绝缘层、硅岛图案层、源漏图案层和钝化层，其特征在于，所述钝化层上开设有连接孔，所述连接孔部分位于所述源漏图案层的漏极上方，以将所述漏极露出，部分位于所述漏极外围；所述栅绝缘层在所述漏极外围处形成有与所述连接孔连通的凹槽。

9.根据权利要求8所述的TFT基板，其特征在于，所述连接孔位于所述漏极上方的部分占所述连接孔总面积的1/2至3/4，所述连接孔位于所述漏极外围的部分占所述连接孔总面积的1/4至1/2。

10.根据权利要求8或9所述的TFT基板，其特征在于，还包括制作于所述钝化层上的像素图案层，所述像素图案层在所述连接孔处与所述漏极连接。