[发明专利]复合陶瓷基板、摄像模组及复合陶瓷基板的制备方法

说明书

本发明公开了一种复合陶瓷基板，所述复合陶瓷基板包括如下质量百分含量的各组分：氧化铝：50％～80％；氮化铝：10％～40％；氮化硅：5％～25％；其中，各组分的总质量百分含量为100％。相较于现有技术中的氧化铝陶瓷基板，本发明的复合陶瓷基板的导热系数更高，平整度更高、抗压强度大，复合陶瓷基板不易断裂。本发明还提供一种上述复合陶瓷基板的制备方法及包括上述复合陶瓷基板的摄像模组。

技术领域

本发明涉及陶瓷基板技术领域，特别涉及一种复合陶瓷基板、摄像模组及复合陶瓷基板的制备方法。

背景技术

倒装芯片(Flip Chip)封装技术与传统的引线键合工艺相比具有许多明显的优点，包括优越的电学及热学性能，高I/O(Input/Output)引脚数，封装尺寸减小等等，目前已广泛应用于LED、手机制造等领域。以采用F1ip Chip工艺的摄像模组为例，通常是将芯片贴装于陶瓷基板，并且将陶瓷基板与柔性线路板(FPC)贴合。

现有技术中，摄像模组中多采用包括92～96％的氧化铝的陶瓷基板，这种陶瓷基板的导热系数(小于20W/m·K)较低，使得在实际高温烧结工艺中，陶瓷基板坯体中间部分与边缘部分不能均匀受热，导致高温烧结后所得到的陶瓷基板的平整度较差，使芯片焊盘与陶瓷基板焊盘不能接触或可接触面积减少，造成芯片电连接不良。另外，这种陶瓷基板抗压强度不足(为400Mpa)，容易断裂。

发明内容

为了解决前述问题，本发明提供一种平整度较好、并且抗压强度较高的复合陶瓷基板、摄像模组及复合陶瓷基板的制备方法。

第一方面，本申请提供一种复合陶瓷基板，所述复合陶瓷基板包括如下质量百分含量的各组分：氧化铝：50％～80％；氮化铝：10％～40％；氮化硅：5％～25％；其中，各组分的总质量百分含量为100％。

由于本申请中的复合陶瓷基板包括50％～80％的氧化铝、10％～40％的氮化铝以及5％～25％的氮化硅，因此能够结合氧化铝、氮化铝及氮化硅三种高温烧结陶瓷材料的优点特性，相较于现有技术中的陶瓷基板，首先，复合陶瓷基板的导热系数更高，在高温烧结过程中，复合陶瓷基板坯体的中间部分与边缘部分受热更加均匀，所述复合陶瓷基板的平整度更高，在芯片倒装工艺中，芯片焊盘与复合陶瓷基板的焊盘的可接触面积增大，避免芯片出现断路或短路进而造成电连接不良的情况；其次，所述复合陶瓷基板的抗压强度较高，不容易断裂。

在一实施方式中，所述复合陶瓷基板包括如下质量百分含量的各组分：氧化铝：65％～80％；氮化铝：10％～25％；氮化硅：5％～25％。如此，提升复合陶瓷基板的抗压强度。

在一实施方式中，所述复合陶瓷基板包括如下质量百分含量的各组分：氧化铝：65％～70％；氮化铝：10％～25％；氮化硅：5％～25％。如此，提高复合陶瓷基板的导热系数，使得在高温烧结过程中，复合陶瓷基板坯体的中间部分与边缘部分受热更加均匀，复合陶瓷基板的平整度更高，以在芯片倒装工艺中，增加芯片焊盘与复合陶瓷基板的焊盘的可接触面积，减少芯片在倒装工艺中出现电连接不良的现象。另外，相较于现有技术中的陶瓷基板坯体(包含92～96％的氧化铝的陶瓷基板坯体)，复合陶瓷基板坯体的收缩率更趋近于通孔导电材料的收缩率，提升复合陶瓷基板内部线路的导电性能。

在一实施方式中，所述复合陶瓷基板包括如下质量百分含量的各组分：氧化铝：65％～70％；氮化铝：25％；氮化硅：5％～10％。如此，复合陶瓷基板导热系数较高，复合陶瓷基板坯体的中间部分与边缘部分受热更加均匀，复合陶瓷基板的平整度更高，芯片焊盘与复合陶瓷基板的焊盘的可接触面积更大，避免芯片在倒装工艺中出现电连接不良的现象。并且，使复合陶瓷基板的抗压强度及复合陶瓷基板坯体的收缩率这两种性能之间达到平衡，也即，复合陶瓷基板在具备一定抗压性能的同时，又使复合陶瓷基板坯体的收缩率与通孔导电材料的收缩率相当，使得复合陶瓷基板的内部线路具备良好的导电性能。