[发明专利]基板固定装置及其制造方法在审
| 申请号: | 202010534415.2 | 申请日: | 2020-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN112086393A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
| 发明(设计)人: | 饭岛信行;柳泽启晴;中村祐一;高桥龙二 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/20;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;龙涛峰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固定 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种基板固定装置,包括:
底板;
静电吸附部件,其吸附并保持基板;
支撑部件,其布置在所述底板上以支撑所述静电吸附部件;以及
粘合层,其将所述静电吸附部件粘合至所述底板,其中,
所述支撑部件与所述底板直接接触,并与所述静电吸附部件直接接触,并且
所述支撑部件的弹性模量高于所述粘合层的弹性模量。
2.根据权利要求1所述的基板固定装置,其中,
所述支撑部件的弹性模量是所述粘合层的弹性模量的十倍以上。
3.根据权利要求1或2所述的基板固定装置,其中,
所述静电吸附部件包括静电吸盘。
4.根据权利要求3所述的基板固定装置,其中,
所述静电吸附部件还包括在所述底板和所述静电吸盘之间的加热部分。
5.根据权利要求1或2所述的基板固定装置,其中,
所述底板包括:
金属基体,以及
树脂层,其布置在所述金属基体上并且位于所述金属基体和所述静电吸附部件之间。
6.根据权利要求1或2所述的基板固定装置,其中,
所述支撑部件的热导率与所述粘合层的热导率之间的差不高于2W/(m·K)。
7.根据权利要求1或2所述的基板固定装置,其中,
所述支撑部件的热膨胀系数为所述粘合层的热膨胀系数的0.1倍以上且10倍以下。
8.根据权利要求1或2所述的基板固定装置,其中,
所述粘合层设置在所述静电吸附部件和所述底板之间以覆盖所述支撑部件。
9.根据权利要求5所述的基板固定装置,其中,
所述支撑部件与所述树脂层直接接触。
10.根据权利要求1或2所述的基板固定装置,其中,
包括多个所述支撑部件,并且
多个所述支撑部件相对于所述底板的中心点而点对称地布置。
11.根据权利要求1或2所述的基板固定装置,其中,
包括多个所述支撑部件,并且
所述多个支撑部件的高度基本上相同。
12.一种制造基板固定装置的方法,所述方法包括:
在静电吸附部件和底板之间设置半固化粘合层和支撑部件,其中,所述静电吸附部件构造为吸附并保持基板,并且所述支撑部件构造为支撑所述静电吸附部件;以及
对所述静电吸附部件和所述底板进行加压和加热,以使所述粘合层固化;其中,
所述支撑部件与所述底板直接接触,并与所述静电吸附部件直接接触,并且
所述支撑部件的弹性模量高于所述粘合层的弹性模量。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,
所述支撑部件的弹性模量是所述粘合层的弹性模量的十倍以上。
14.根据权利要求12或13所述的方法,其中,
所述支撑部件的热导率与所述粘合层的热导率之间的差不高于2W/(m·K)。
15.根据权利要求12或13所述的方法,其中,
所述支撑部件的热膨胀系数为所述粘合层的热膨胀系数的0.1倍以上且10倍以下。
16.根据权利要求12或13所述的方法,还包括:
在使所述粘合层固化之后,研磨所述静电吸附部件的吸附面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





