[发明专利]一种磁控溅射设备

权利要求书

1.一种磁控溅射设备，包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的靶材，其特征在于，还包括与所述靶材相对设置的承载台，所述承载台包括基座和设置于所述基座上的基盘，所述基盘用于承载待加工工件，且所述基盘中设置有进气结构，所述进气结构用于将工艺气体自所述基座传输至所述工艺腔室并进行磁控溅射工艺；

所述磁控溅射设备还包括工艺气体源，所述工艺气体源包括氧气源；

远程等离子装置，所述远程等离子装置与所述工艺腔室可通断地连通，所述远程等离子装置用于在所述磁控溅射工艺后将清洗气体离化为等离子体并导入所述工艺腔室中；

所述远程等离子装置包括清洗气体源，所述清洗气体源包括氢气源；

所述进气结构包括形成在所述基盘内部的缓冲腔和沿所述基盘周向设置的多个出气口和设置在所述缓冲腔底部的进气口，所述出气口将所述缓冲腔与所述工艺腔室导通，所述进气口与所述基座的气体传输通道连通。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，多个所述出气口设置在所述基盘的周向侧壁上，且多个所述出气口的轴向与所述基盘的轴向成角度。

3.根据权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述角度大于零小于等于90度。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述基盘与所述靶材之间的距离为300-500mm。

5.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁控溅射设备还包括与所述工艺气体源连通的第一进气通道，所述第一进气通道与所述基座的气体传输通道之间设置有第一通断装置；所述工艺气体源还包括氩气源。

6.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁控溅射设备还包括保护罩组件，所述保护罩组件设置在所述工艺腔室中，且所述保护罩组件与所述工艺腔室的顶壁密封形成溅射区域，所述靶材和所述基盘均位于所述溅射区域中，所述保护罩组件具有承载孔，所述基盘与所述承载孔形状匹配。

7.根据权利要求5所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述远程等离子装置还包括远程等离子体反应腔室和第二通断装置，所述第二通断装置设置在所述远程等离子体反应腔室和所述清洗气体源之间，所述清洗气体源还包括氩气源，所述第一通断装置与所述第二通断装置逻辑互锁，以使所述第一通断装置与所述第二通断装置不可同时开启。

8.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁控溅射设备还包括排气泵，所述排气泵用于排出所述工艺腔室中的气体。