[发明专利]一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 202010532540.X | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111690904A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 谢黎明;赵朝阳;王新胜;宋志伟 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/58;G02B1/11 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 光学 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种减反光学膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
对升华性材料和二氧化硅的混合膜，进行高温处理，得到具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合膜的制备方法包括：
采用磁控溅射仪，以升华性材料靶材和二氧化硅靶材作为溅射源，溅射镀膜，制备得到升华性材料和二氧化硅的混合膜。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述升华性材料包括二氧化钼、三氧化钼、三氧化二锑或二氧化硒中的任意一种或任意组合；
优选地，所述升华性材料在混合膜中的体积分数为15％-80％，优选为60％-75％。
优选地，所述混合膜的厚度为100nm-200nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述高温处理的温度为200-950℃；
优选地，升华性材料为三氧化二锑时，高温处理的温度为700℃-950℃，优选为750℃-900℃；升华性材料为三氧化钼和/或二氧化钼时，高温处理的温度为800℃-950℃，优选为850℃-900℃；升华性材料为二氧化硒时，高温处理的温度为200℃-300℃，优选为220℃-300℃；
优选地，所述高温处理的时间为5h-20h。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述混合膜设置于基体的单侧表面或者双侧表面。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)采用磁控溅射仪，以升华性材料靶材和二氧化硅靶材作为溅射源，在基体的表面溅射镀膜，得到升华性材料和二氧化硅的混合膜，所述升华性材料在混合膜中的体积分数为15％-80％，所述混合膜的厚度为100nm-200nm；
(2)于高温处理5h-20h，得到具有纳米孔隙结构的减反光学膜；
其中，所述升华性材料为二氧化钼、三氧化钼、三氧化二锑或二氧化硒中的任意一种或任意组合。
7.一种调节减反光学膜减反射能力的方法，其特征在于，所述方法包括：通过调节升华性材料在混合膜中的体积分数调节减反光学膜的减反射能力。
8.一种调节减反光学膜光谱反射最小值的范围的方法，其特征在于，所述方法包括：通过调节混合膜的厚度调节减反光学膜的光谱反射最小值的范围。
9.如权利要求1-6任一项所述方法制备得到的减反光学膜，其特征在于，所述减反光学膜包括具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜；
优选地，所述减反光学膜的厚度为100nm-200nm；
优选地，所述减反光学膜的减反中心波长在400nm-1000nm范围内连续可调，工作温度范围在0℃-1000℃。
10.如权利要求9所述的减反光学膜的用途，其特征在于，所述减反光学膜用于光学元件，所述光学元件包括光学窗口、透镜、偏振镜片或滤光片。
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