[发明专利]一种芯片封装方法和芯片封装器件

说明书

本申请公开了一种芯片封装方法和芯片封装器件，本申请公开的芯片封装方法先在芯片功能面上的每个焊盘位置处分别形成金属凸块，然后在金属凸块的外围形成绝缘层，再利用带有焊料粒子的导电胶将金属凸块远离焊盘的一侧表面与衬底表面的导电部电连接，且绝缘层远离功能面的表面与衬底接触。其中，绝缘层远离芯片功能面的表面高于金属凸块远离功能面的表面，导电胶位于绝缘层围设的区域内。当利用带有焊料粒子的导电胶将金属凸块与导电部电连接之后，绝缘层覆盖金属凸块以及导电部的侧壁，能够避免金属凸块的侧壁与其他金属凸块或者显示装置之外的其他器件横向导通的问题，降低显示装置出现短路的几率，提高显示装置内部电连接的可靠性。

技术领域

本申请涉及封装技术领域，特别是涉及一种芯片封装方法和芯片封装器件。

背景技术

在芯片封装工艺流程中，金属凸块结构的制作是其中一个关键制程，金属凸块用于实现芯片封装器件中的芯片与衬底之间的电性连接。具体封装工艺过程包括：在芯片的焊盘位置处利用电镀工艺形成金属凸块；然后通过芯片倒装的方式将芯片与衬底表面的导电部电连接。

上述封装工艺过程中，金属凸块的侧壁可能与其他金属凸块或者芯片封装器件之外的其他器件横向导通，甚至出现短路，从而降低芯片封装器件内部电连接的可靠性。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装方法和芯片封装器件，能够降低芯片上的金属凸块与其他金属凸块或者芯片封装器件之外的其他器件横向导通的几率。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：

提供一种芯片封装方法，包括：在芯片功能面上的每个焊盘位置处分别形成金属凸块；在所述金属凸块的外围形成绝缘层，所述绝缘层远离所述功能面的表面高于所述金属凸块远离所述功能面的表面；利用带有焊料粒子的导电胶将所述金属凸块远离所述焊盘的一侧表面与衬底表面的导电部电连接，其中，所述绝缘层远离所述功能面的表面与所述衬底接触，所述导电胶位于所述绝缘层围设的区域内。

其中，所述金属凸块远离所述焊盘的一侧表面平整。

其中，所述芯片的功能面上设置有第一钝化层，所述第一钝化层对应所述焊盘的位置设置有第一通孔；所述在芯片功能面上的每个焊盘位置处分别形成金属凸块的步骤包括：利用电镀的方式在所述第一钝化层的每个所述第一通孔位置处分别形成第一金属层；利用沉积的方式在所述第一金属层的侧壁以及远离所述焊盘的一侧表面形成第二金属层，所述第二金属层远离所述焊盘一侧表面平整，其中，所述第一金属层和所述第二金属层形成所述金属凸块。

其中，所述在芯片功能面上的每个焊盘位置处分别形成金属凸块的步骤之前，还包括：利用溅射的方式在所述第一钝化层表面以及所述第一通孔内形成溅射金属层；所述在芯片功能面上的每个焊盘位置处分别形成金属凸块之后，还包括：蚀刻去除未被所述金属凸块覆盖的所述溅射金属层。

其中，所述利用带有焊料粒子的导电胶将所述金属凸块远离所述焊盘的一侧表面与衬底表面的导电部电连接的步骤包括：将所述带有焊料粒子的导电胶设置于所述绝缘层围设的区域内，其中，所述导电胶包括聚合物材料、焊料粒子和还原剂，所述焊料粒子和所述还原剂分散于所述聚合物材料中；将所述金属凸块远离所述焊盘的一侧表面与所述导电部对准贴合，通过回流焊工艺使所述还原剂与所述导电部接触以去除所述导电部表面的氧化层，以及使所述焊料粒子熔化并与所述金属凸块和所述导电部电连接。

其中，所述焊料粒子的熔点在150℃-180℃之间。

其中，所述绝缘层为有机绝缘层，所述通过回流焊工艺使所述还原剂与所述导电部接触以去除所述导电部表面的氧化层，以及使所述焊料粒子熔化并与所述金属凸块和所述导电部电连接的步骤之前，所述绝缘层的高度小于所述芯片的功能面和所述衬底之间的间距；所述通过回流焊工艺使所述还原剂与所述导电部接触以去除所述导电部表面的氧化层，以及使所述焊料粒子熔化并与所述金属凸块和所述导电部电连接的步骤之后，所述绝缘层的高度等于所述芯片的功能面和所述衬底之间的间距。