[发明专利]分栅快闪存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层上生长多晶硅层并在所述多晶硅层中掺杂；所述多晶硅层的顶部不掺杂，或者，在厚度方向上，所述多晶硅层的顶部的掺杂浓度小于所述多晶硅层的底部的掺杂浓度；以及

刻蚀所述多晶硅层形成字线层。

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，厚度方向上，从靠近所述隧穿氧化层一侧到远离所述隧穿氧化层一侧，所述多晶硅层的掺杂浓度逐渐降低或阶梯性降低。

3.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层在一次炉管中生长形成，且生长所述多晶硅层的过程中，掺杂气体的浓度逐渐降低。

4.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层依次在N次炉管中分段生长形成，第一次炉管中形成第一厚度的多晶硅层，第二次炉管中形成第二厚度的多晶硅层，以此类推，第N次炉管中形成第N厚度的多晶硅层；第一次炉管至第N次炉管中的掺杂气体的浓度逐次降低，第N次炉管中掺杂气体浓度最低或者不掺杂；第一厚度、第二厚度至第N厚度的和等于所述多晶硅层的总厚度。

5.如权利要求1至4任意一项所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，生长所述多晶硅层的反应气体源包括：甲硅烷、二氯化硅烷、三氯化硅烷与四氯化硅所组成的族群中任意一个或两个以上的组合。

6.如权利要求1至4任意一项所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述掺杂气体包括磷烷或硼烷。

7.如权利要求1至4任意一项所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层采用N型掺杂或P型掺杂。

8.一种分栅快闪存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的隧穿氧化层；

位于所述隧穿氧化层上的字线层，所述字线层由多晶硅层掺杂构成，所述多晶硅层的顶部不掺杂，或者，在厚度方向上，所述多晶硅层的顶部的掺杂浓度小于所述多晶硅层的底部的掺杂浓度。

9.如权利要求8所述的分栅快闪存储器，其特征在于，厚度方向上，从靠近所述隧穿氧化层一侧到远离所述隧穿氧化层一侧，所述多晶硅层的掺杂浓度逐渐降低。

10.如权利要求8或9所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述衬底上设有源线层和浮栅氧化层，所述浮栅氧化层表面沉积有浮栅多晶硅层，所述源线层与字线层之间设有第一侧墙，所述源线层与所述浮栅氧化层和浮栅多晶硅层之间设有第二侧墙。