[发明专利]一种带有隔离驱动的5G通信基站的电源

权利要求书

1.一种带有隔离驱动的5G通信基站的电源，其特征在于，包括谐振电路，所述谐振电路包括控制芯片和隔离驱动电路，所述控制芯片通过隔离驱动电路驱动MOS管工作，所述隔离驱动电路包括并联设置的第一驱动模块和第二驱动模块，所述第一驱动模块和所述第二驱动模块分别包括变压器，所述谐振电路还包括图腾驱动电路，所述图腾驱动电路包括并联设置的第一图腾驱动模块和第二图腾驱动模块，以及并联设置的第三图腾驱动模块和第四图腾驱动模块，所述第一图腾驱动模块和所述第二图腾驱动模块设置于所述第一驱动模块中所述变压器的副绕组和所述MOS管之间，所述第三图腾驱动模块和所述第四图腾驱动模块设置于所述第二驱动模块中所述变压器的副绕组和所述MOS管之间，所述控制芯片包括芯片L6599，其中，

所述第一驱动模块还包括：1个IC芯片，2个电阻，其中，电阻R112的一端连接至所述芯片L6599的引脚HVG后其另一端连接至IC芯片*14B的引脚INPUT，并且电阻R115的一端连接至IC芯片*14B的引脚INPUT，R115的另一端接地，IC芯片*14B的引脚OUT连接至变压器L1的主绕组；

所述第一图腾驱动模块包括：1个电容，2个三极管，2个二极管，4个电阻，其中，三极管Q18的发射极连接三极管Q21的发射极，并联的电阻R105和二极管D16的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端与电阻R108串联后连接至三极管Q18的基极和三极管Q21的基极，电阻R114与二极管D17串联后的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端分别连接至所述三极管Q21的集电极和MOS管Q19的S极，电阻R109的一端连接至三极管Q18的发射极和三极管Q21的发射极之间后其另一端连接在MOS管Q19的G极，电阻R106设置于MOS管Q19的G极和变压器L1的副绕组之间，电容C33设置于MOS管Q19的S极和变压器L1的副绕组之间；

所述第二驱动模块还包括：1个IC芯片，2个电阻，其中，电阻R131的一端连接至所述芯片L6599的引脚LVG后其另一端连接至IC芯片*17B的引脚INPUT，并且电阻R138的一端连接至IC芯片*17B的引脚INPUT，电阻R138的另一端接地，IC芯片*17B的引脚OUT连接至变压器L3的主绕组；

所述第一驱动模块和/或所述第二驱动模块还包括供电电路，所述供电电路包括1个三极管，2个二极管，其中，所述三极管的集电极连接至所述变压器的主绕组，所述三极管的基极连接至IC芯片的引脚OUT，2个二极管并联后连接至所述三极管的集电极和所述芯片L6599的引脚VCC。

2.根据权利要求1所述的电源，其特征在于，所述第二图腾驱动模块包括：1个电容，2个三极管，2个二极管，4个电阻，其中，三极管Q22的发射极连接三极管Q25的发射极，并联的电阻R124和二极管D20的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端与电阻R117串联后连接至三极管Q22的基极和三极管Q25的基极，电阻R119与二极管D19串联后的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端连接至所述三极管Q22的集电极，电阻R121的一端连接至三极管Q22的发射极和三极管Q25的发射极之间后其另一端连接在MOS管Q24的G极，电阻R123连接于所述MOS管Q24的G极后接地，电容C43设置于MOS管Q24的S极和变压器L1的副绕组和三极管Q22的集电极之间。

3.根据权利要求1所述的电源，其特征在于，所述第三图腾驱动模块的电路原理、所述第四图腾驱动模块的电路原理分别与所述第一图腾驱动模块的电路原理相同。