[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一驱动电路和第二驱动电路；

在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层，所述第一电极层包括与所述第一驱动电路电连接的转接电极、与所述第二驱动电路电连接的像素电极；

在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，所述像素定义层设置有像素开口和连接过孔，所述像素开口暴露至少部分所述像素电极，所述连接过孔暴露至少部分所述转接电极；

在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一图案限定层，所述第一图案限定层覆盖所述连接过孔且暴露所述像素开口；

在所述第一图案限定层远离所述衬底基板的一侧形成有机发光材料层，所述有机发光材料层覆盖所述像素开口和所述第一图案限定层；

去除所述第一图案限定层，使得所述有机发光材料层形成有机发光层；

在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成环绕所述连接过孔的第二图案限定层；

在所述第二图案限定层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层，所述第二电极层包括被所述第二图案限定层隔离的公共电极和指纹识别电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一图案限定层包括：

在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一可移除基底材料层；

在所述第一可移除基底材料层远离所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶材料层；

对所述第一光刻胶材料层进行图案化操作以形成第一掩膜层，所述连接过孔在所述第一掩膜层上的正投影位于所述第一掩膜层内；

以所述第一掩膜层为掩膜，对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作以形成第一可移除基底层，所述第一可移除基底层和所述第一掩膜层组成所述第一图案限定层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一可移除基底材料层包括：

使用第一基底材料，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成第一可移除基底材料层；其中，所述第一基底材料包含有第一氟化高分子材料；

对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作以形成第一可移除基底层包括：

使用第一剥离液对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作，以去除所述第一可移除基底材料层未被所述第一掩膜层覆盖的部分；其中，所述第一剥离液包含有第一氟化溶剂。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作以形成第一可移除基底层还包括：

使用第一剥离液对所述第一可移除基底材料层进行图案化操作时，去除所述第一可移除基底材料层被所述第一掩膜层覆盖的部分中的一部分。

5.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，去除所述第一图案限定层包括：

使用第二剥离液去除所述第一可移除基底层进而去除所述第一掩膜层，所述第二剥离液包含有第二氟化溶剂。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成环绕所述连接过孔的第二图案限定层包括：

在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二可移除基底材料层；

在所述第二可移除基底材料层远离所述衬底基板的一侧形成第二光刻胶材料层；

对所述第二光刻胶材料层进行图案化操作以形成第二掩膜层，所述第二掩膜层在所述像素定义层上的正投影环绕所述连接过孔；

以所述第二掩膜层为掩膜，对所述第二可移除基底材料层进行图案化操作以形成第二可移除基底层，所述第二可移除基底层和所述第二掩膜层组成所述第二图案限定层。