[发明专利]一种micro LED芯片的拉曼增强的检测方法及其装置有效
| 申请号: | 202010528322.9 | 申请日: | 2020-06-11 |
| 公开(公告)号: | CN111610177B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
| 发明(设计)人: | 陈志忠;潘祚坚;焦飞;张树霖;康香宁;陈怡帆;詹景麟;陈毅勇;聂靖昕;沈波 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
| 主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;G01N21/64;G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 王岩 |
| 地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 micro led 芯片 增强 检测 方法 及其 装置 | ||
1.一种micro LED芯片的拉曼信号增强的检测方法,其特征在于,并采用电子能级共振和表面等离激元共振的方法来增强拉曼信号,所述检测方法包括以下步骤:
1)在micro LED芯片的p-GaN层中嵌入周期性的金属纳米结构;
2)激光器发出平行的激发光,激发光的波长小于350nm,激发光的波长既满足小于其激发样品产生的荧光波长20nm以内,同时满足激发光的波长与部分电子跃迁的能量相等;
3)激发光经第一空间滤波器去除杂散光,经多面棱镜变成多束角度不同的平行光,之后经过第一分束片;
4)多束角度不同的平行光经扫描振镜,由物镜聚焦,形成多个一维排列的光斑;
5)micro LED芯片阵列作为样品位于物镜的焦平面放置在XYZ三维高速样品台上;一维排列的光斑阵列的激发光以布儒斯特角入射到样品上,所有平行于偏振面的激发光都透射到样品的内部而不是由表面反射,从而激发拉曼光,由于激发光的波长与部分电子跃迁的能量相等产生共振,并且嵌入至micro LED单元中的金属纳米结构与量子阱形成表面等离激元共振,使得拉曼光增强至荧光量级,同时光致发光产生荧光,一维排列的光斑阵列同时照射到多个micro LED芯片单元上,产生的拉曼光和荧光也为一维排列的光斑阵列;
6)荧光和拉曼光返回物镜,再依次经过扫描振镜和第一分束片,通过光路切换装置控制,
由目镜收集进入至CCD摄像机,观察样品的表面形态;
7)或者,荧光和拉曼光通过光路切换装置控制,经过第二空间滤波器滤除杂散光后,依次经过纵向柱透镜和横向柱透镜对光斑进行整形,变成矩形的光斑;
8)经第二分束片分成方向不同的两束光,两束光分别进入多通道光谱仪的第一通道和第二通道;
9)第一束光经第一棱镜分光计进行分光,只保留荧光,保留的荧光由第一CCD面阵探测器接收;荧光为一维排列的光斑阵列,第一CCD面阵探测器为二维排列的像素,
荧光的每一个光斑分别对应CCD面阵探测器的一列像素,将光斑按照波长分开,不同的波长对应至这一列像素的不同位置上,得到荧光的每一个波长的强度和亮度,从而得到对应的micro LED芯片单元的扫描位置的荧光光谱,第一CCD面阵探测器同时得到多个对应的micro LED芯片单元的扫描位置的荧光光谱;
10)当激发光的波长小于其激发样品产生的荧光波长20~40nm,则采用斯托克斯拉曼结合荧光测量,第二束光经第二棱镜分光计进行分光,只保留斯托克斯拉曼光,由于激发光的波长小于其所激发样品产生的荧光的波长20~40nm,同时斯托克斯拉曼光的波长在激发光波长的30nm以内,因此能够将荧光与斯托克斯拉曼光的光谱分开,
由第二CCD面阵探测器接收;
或者,当激发光的波长小于其激发样品产生的荧光波长20nm以内,则采用反斯托克斯拉曼结合荧光测量,第二束光经第二棱镜分光计进行分光,只保留反斯托克斯拉曼光,由于激发光的波长小于其激发样品产生的荧光波长,同时反斯托克斯拉曼光的波长小于激发光波长,从而能够将荧光与反斯托克斯拉曼光的光谱分开,由第二CCD面阵探测器接收;
11)拉曼光为一维排列的光斑阵列,第二CCD面阵探测器为二维排列的像素,拉曼光的每一个光斑分别对应CCD面阵探测器的一列像素,将光斑按照波长分开,不同的波长对应至这一列像素的不同位置上,得到拉曼光的每一个波长的强度和亮度,从而得到对应的microLED芯片单元的扫描位置的拉曼光光谱,第二CCD面阵探测器同时得到多个对应的microLED芯片单元的扫描位置的拉曼光光谱;
12)通过控制扫描振镜,重复步骤2)~11),一维排列的光斑阵列的激发光完成所对应的多个micro LED芯片单元的扫描;
13)进一步控制扫描振镜,重复步骤2)~12),一维排列的光斑阵列的激发光完成microLED芯片阵列的一帧的扫描;
14)通过控制XYZ三维高速样品台,将样品移到下一帧,重复步骤2)~13),从而完成对micro LED芯片阵列的扫描,得到micro LED芯片阵列的荧光光谱和拉曼光谱;
15)通过荧光光谱得到光学性质;
16)通过多个测量点的拉曼光谱得到相应的电学性质;
17)根据光学性质和电学性质对micro LED芯片阵列进行分类。
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