[发明专利]具有阻变存储层的非易失性存储器件

说明书

本申请公开了一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；源电极结构，其设置在衬底上；沟道结构，其被设置为与源电极结构的侧壁表面接触；阻变存储层，其设置在沟道结构的侧壁表面上；漏电极结构，其被设置为与阻变存储层接触；多个栅极电介质结构，其在第一方向上延伸并被设置为在第二方向上彼此间隔开；以及多个栅电极结构，其被设置为在多个栅极电介质结构中在第一方向上延伸。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年9月6日提交的申请号为10-2019-0111073的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开总体上涉及一种非易失性存储器件，并且更具体地，涉及一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。

背景技术

随着设计规则的减少和集成度的增大，继续对能够保证结构稳定性和操作可靠性的半导体器件的结构进行研究。当前，作为电荷储存结构，非易失性存储器件，诸如采用了包括电荷隧穿层、电荷俘获层和电荷阻挡层的三层层叠结构的快闪存储器，已经被广泛应用。

近来，已经提出了具有与现有的快闪存储器不同的结构的各种非易失性存储器件。非易失性存储器件的示例是阻变存储器件。尽管快闪存储器通过电荷储存实现存储功能，但是近来在其他配置中，可以通过在高电阻与低电阻之间改变存储层中的电阻并以非易失性的方式储存已改变的电阻来写入预定的信号信息。

发明内容

根据一个方面的非易失性存储器件包括衬底以及设置在衬底上的源电极结构。源电极结构包括在垂直于衬底的第一方向上交替层叠的多个源电极层图案和多个源极绝缘层图案，并且源电极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。非易失性存储器件包括沟道结构，所述沟道结构设置在衬底上并被设置为与源电极结构的侧壁表面接触。这里，源电极结构的侧壁表面是由第一方向和第二方向形成的平面。另外，非易失性存储器件包括被设置在衬底上的沟道结构的侧壁表面上的阻变存储层。这里，沟道结构的侧壁表面是由第一方向和第二方向形成的平面。非易失性存储器件包括漏电极结构，所述漏电极结构被设置为与衬底上的阻变存储层接触。漏电极结构包括在第一方向上交替设置的多个漏电极层图案和多个漏极绝缘层图案，并且漏电极结构在第二方向上延伸。非易失性存储器件包括：多个栅极电介质结构，其在第一方向上延伸并且被设置为沿着第二方向彼此间隔开；以及多个栅电极结构，其被设置为在栅极电介质结构中在第一方向上延伸。

根据另一方面的非易失性存储器件包括衬底以及设置在衬底上的全局源极线。全局源极线包括在垂直于衬底的第一方向上彼此间隔开的多个源电极层图案，并且多个源电极层图案在垂直于第一方向的第二方向上延伸。非易失性存储器件包括：沟道结构，其设置在衬底上以在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上与全局源极线接触；以及阻变存储层，其被设置为在第三方向上与沟道结构的侧壁表面接触。非易失性存储器件包括全局漏极线，所述全局漏极线被设置在衬底上在第三方向上与阻变存储层接触。全局漏极线包括被设置为在第一方向上彼此间隔开的多个漏电极层图案，并且多个漏电极层图案在第二方向上延伸。非易失性存储器件包括：多个栅极电介质结构，其在沟道结构中在第一方向上延伸，并且被设置为在第二方向上彼此间隔开；以及多个栅电极结构，其被设置为在栅极电介质结构中在第一方向上延伸。沟道结构通过多个栅极电介质结构中的一个栅极电介质结构与所述多个栅电极结构中的一个栅电极结构分隔开。

附图说明

图1是示意性地示出根据本公开的实施例的非易失性存储器件的立体图。

图2是图1的非易失性存储器件的平面图。

图3是图1的非易失性存储器件的沿线A-A′截取的截面图。

图4是根据本公开的实施例的非易失性存储器件的示意性电路图。

图5是示意性地示出根据本公开的实施例的驱动非易失性存储器件的方法的示图。