[发明专利]一种高性能复合磁体的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010526860.4 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN111564305B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 泮敏翔;吴琼;杨杭福;俞能君;葛洪良 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省杭州市钱*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 复合 磁体 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高性能复合磁体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)采用熔体快淬法制备(Pr,Ce)-Fe-B合金薄带,铜辊转速为10~50 m/s;

(2)采用真空感应熔炼技术制备低熔点Pr-Ce-Al-Cu合金铸锭,将铸锭滚动球磨制成粒度为5~15 μm的合金粉末;

(3)将步骤(1)获得的(Pr,Ce)-Fe-B合金薄带和步骤(2)获得的Pr-Ce-Al-Cu合金粉末按照1:0. 01~0.05的质量比进行混合,同时加入体积比为1:1~1.5的新癸酸铋Bi(C10H19O2)3和醋酸锰Mn(CH3COO)2的混合液体,新癸酸铋Bi(C10H19O2)3和醋酸锰Mn(CH3COO)2的混合液体重量占(Pr,Ce)-Fe-B合金薄带和Pr-Ce-Al-Cu合金粉末总重量的10~30%,并在氢气正压气氛下高能球磨3~25 h,实现获得锰与铋纳米颗粒的细化及(Pr,Ce)-Fe-B合金薄带和Pr-Ce-Al-Cu合金粉末的细化,并获得颗粒尺寸小于100 nm并由(Pr,Ce)2Fe14B相、歧化相(Pr,Ce)H2±x共同组成的合金粉末;

(4)将步骤(3)获得的纳米混合粉末进行低温辅助磁场取向成型技术制得压坯,所述低温辅助磁场取向成型技术的温度为50~90℃,压力为30~80 MPa,磁场强度为1~2 T;

(5)将步骤(4)获得的压坯进行磁场辅助激光加热技术下的热处理,实现多硬磁主相纳米复合永磁体内部晶界润滑和扩散的均匀化,所述磁场辅助激光加热技术的磁场强度为2~5 T,升温速率为10~50 ℃/s,热处理温度为200~600 ℃,保温时间为1~5 min。

2.根据权利要求1 所述的一种高性能复合磁体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述的(Pr,Ce)-Fe-B合金为按原子百分比的(PrxCe1-x)aFe100-a-bBb,x,a和b满足以下关系:0.1≤x≤0.9,5≤a≤20,5≤a≤10。

3.根据权利要求1 所述的一种高性能复合磁体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中所述的低熔点Pr-Ce-Al-Cu合金为按原子百分比的PraCebAl100-a-b-cCuc,a,b和c满足以下关系:10≤a≤15,10≤b≤15,20≤c≤30。

4.根据权利要求1 所述的一种高性能复合磁体的制备方法,其特征在于:步骤(3)中所述的氢气正压气氛的正压强度为0.5~2 MPa。

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