[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底上的第一纳米结构和第二纳米结构，所述第一纳米结构和第二纳米结构之间具有第一开口；

位于部分第一开口内的隔离结构；

位于衬底上的介质层，所述介质层位于部分第一开口内、部分第一纳米结构侧壁和部分第二纳米结构侧壁，所述介质层内具有第二开口，所述第二开口的延伸方向垂直于所述第一开口的延伸方向，所述第二开口暴露出所述隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二开口还暴露出部分第一纳米结构侧壁和部分第二纳米结构侧壁；所述隔离结构位于所述第二开口的底部。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第二开口内的栅极结构。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于部分第一纳米结构侧壁和部分第二纳米结构侧壁的第一隔离层，所述栅极结构位于所述第一隔离层上。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一纳米结构包括若干第一纳米线，若干所述第一纳米线相互分立；所述第二纳米结构包括若干第二纳米线，若干所述第二纳米线相互分立。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构的材料与所述介质层的材料不同。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底上形成初始第一纳米结构和初始第二纳米结构，所述初始第一纳米结构和初始第二纳米结构之间具有第一开口；

在部分初始第一纳米结构上、部分初始第二纳米结构上和部分第一开口内形成伪栅极结构，所述伪栅极结构横跨所述初始第一纳米结构和初始第二纳米结构；

在衬底上形成介质层，所述介质层位于所述伪栅极结构侧壁、初始第一纳米结构侧壁和初始第二纳米结构侧壁；

去除所述伪栅极结构，在介质层内形成第二开口，所述第二开口的延伸方向垂直于所述第一开口的延伸方向，所述第二开口底部暴露出部分所述第一开口；

在所述第二开口底部暴露出的部分第一开口内形成隔离结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二开口底部暴露出的部分第一开口内形成隔离结构的方法包括：在部分所述第一开口内、初始第一纳米结构和初始第二纳米结构表面形成隔离材料层；去除初始第一纳米结构和初始第二纳米结构表面的隔离材料层，在部分所述第一开口内形成隔离结构。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离材料层的工艺包括原子层沉积工艺。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除初始第一纳米结构和初始第二纳米结构表面的隔离材料层的工艺包括湿法刻蚀工艺。

12.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料与所述介质层的材料不同。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合。