[发明专利]一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构在审
| 申请号： | 202010524736.4 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111711067A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 石琳琳;王娇娇;马晓辉;邹永刚;徐莉;李岩;金亮;张贺;李卫岩 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 朱伟军 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多单管 半导体激光器 双面 冷却 封装 结构 | ||
1.一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
包括基础热沉(9)、绝缘热沉(4)，所述绝缘热沉(4)设置在基础热沉(9)上，所述绝缘热沉(4)上设置有至少两个次级热沉；
所述相邻两个次级热沉之间设置一个半导体激光器。
2.根据权利要求1所述的一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
所述绝缘热沉(4)焊接在基础热沉(9)上。
3.根据权利要求2所述的一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
所述次级热沉焊接在绝缘热沉(4)上。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
所述基础热沉(9)为无氧铜材料。
5.根据权利要求4所述的一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
所述绝缘热沉(4)为ALN材质。
6.根据权利要求5所述的一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
所述次级热沉为铜钨材料，也可为金刚石或铜基金刚石材料。
7.根据权利要求6所述的一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
所述半导体激光器为边发射式单管半导体激光器。
8.根据权利要求7所述的一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
所述边发射式半导体激光器采用COS封装结构。
9.根据权利要求4所述的一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
所述次级热沉包括第一次级热沉(5)、第二次级热沉(6)、第三次级热沉(7)、第四次级热沉(8)。
10.根据权利要求9所述的一种多单管半导体激光器双面冷却封装结构，其特征在于：
所述半导体激光器包括第一半导体激光器(1)、第二半导体激光器(2)、第三半导体激光器(3)；
第三半导体激光器(3)的P面与第一次级热沉(5)焊接，N面与第二次级热沉(6)焊接；半导体激光器的P面与第二次级热沉(6)焊接，N面与第三次级热沉(7)焊接；半导体激光器的P面与第三次级热沉(7)焊接，N面与第四次级热沉(8)焊接。
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