[发明专利]一种硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置及其制作方法

权利要求书

1.一种硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置，其特征在于，包括玻璃基底和硫化物纳米片，所述硫化物纳米片包括薄片的基面以及薄片的边缘位置；

所述硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置的制备方法，包括如下步骤：

(1)在基底上制作一层硫化物纳米片，得硫化物纳米片/基底装置；

(2)将步骤(1)中硫化物纳米片/基底装置上覆盖具有均匀孔洞的掩模，得掩膜/硫化物纳米片/基底装置；

(3)将掩膜/硫化物纳米片/基底装置浸入亲水溶液，再去掉掩模，浸入疏水溶液；或将掩膜/硫化物纳米片/基底装置浸入疏水溶液，再去掉掩模，浸入亲水溶液；得硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置。

2.根据权利要求1所述的硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置，其特征在于，所述薄片的基面覆盖疏水层，所述薄片的边缘位置覆盖亲水层；或所述薄片的基面覆盖亲水层，所述薄片的边缘位置覆盖疏水层。

3.根据权利要求1所述的硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置，其特征在于，所述步骤(1)中硫化物为硫化亚铜、硫化钼或硫化钨中的任一种。

4.根据权利要求1所述的硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置，其特征在于，所述步骤(2)中掩膜的直径为1～4mm。

5.根据权利要求1所述的硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置，其特征在于，所述步骤(3)中亲水溶液是氨基酸水溶液、聚乙烯醇水溶液、聚丙烯酸水溶液或聚丙烯酸钠水溶液中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置，其特征在于，所述亲水溶液的浓度为0.1～0.4mol/L。

7.根据权利要求1所述的硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置，其特征在于，所述步骤(3)中疏水溶液是长链烷烃的有机溶液，长链烷烃的碳原子数≥15；或疏水溶液是端基带有胺基的长链烷烃的有机溶液，长链烷烃的碳原子数≥18；或疏水溶液是端基带有羟基的长链烷烃的有机溶液，长链烷烃的碳原子数≥18。

8.根据权利要求1所述的硫化物纳米片超疏水超亲水材料水分收集装置，其特征在于，所述疏水溶液的浓度为0.1～0.4mol/L。