[发明专利]基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜的制备方法在审
| 申请号: | 202010523863.2 | 申请日: | 2020-06-10 |
| 公开(公告)号: | CN111690159A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
| 发明(设计)人: | 杨槐;张帅峰;张兰英;李辰悦;木新;王孝 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
| 主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L29/10;C08L51/08;C08F283/06;C08F220/18;C08F220/20;C08F216/14;C08F216/12;C08K3/30;C08K3/32;C08K3/16;C08F2/48;C09K11/02;C09K11/8 |
| 代理公司: | 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 | 代理人: | 贺寿元;王宇佳 |
| 地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 乙烯基 液晶 高分子 聚合 量子 薄膜 制备 方法 | ||
1. 一种基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜的制备方法,其特征在于,该制备方法包括依次进行的以下步骤:
1)制备中间产物C
取紫外聚合乙烯基醚液晶混合物、紫外聚合丙烯酸酯单体混合物、量子点和光引发剂混匀,所得混合物B加至液晶盒中,得中间产物C;
2)制备基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜
中间产物C依次经自由基聚合反应、阳离子聚合反应后,制得所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜。
2.根据权利要求1所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜的制备方法,其特征在于,
所述自由基聚合反应是在273.2~303.2K、紫外光辐照条件下进行;中间产物C中的紫外聚合丙烯酸酯单体混合物进行自由基聚合反应后,所得丙烯酸酯高分子基体与紫外聚合乙烯醚液晶混合物发生微相分离,得中间产物D;
所述阳离子聚合反应是在273.2~303.2K、紫外光辐照条件下进行;中间产物D中的紫外聚合乙烯醚液晶混合物进行阳离子聚合反应后,即得所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜。
3.根据权利要求2所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜的制备方法,其特征在于,
所述自由基聚合反应的紫外光辐照条件为波长365nm、光辐照强度为0.01~1.0mW/cm2、光辐照时间为0.1~5min;
所述阳离子聚合反应的紫外光辐照条件为波长365nm、光辐照强度为10.0~30.0mW/cm2、光辐照时间为5~40min。
4.根据权利要求1所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜的制备方法,其特征在于,以重量份数计,制成混合物B的原料包括:紫外聚合乙烯基醚液晶混合物40~80份、紫外聚合丙烯酸酯单体混合物12.0~58.89份、量子点0.01~1.0份和光引发剂1.1~7.0份。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜的制备方法,其特征在于,紫外聚合乙烯基醚液晶混合物,以重量份数计,是取80~95份化合物Ⅰ、5.0~15.0份化合物Ⅱ和0.1~5.0份化合物Ⅲ混合后所得;
其中,化合物Ⅰ的化学结构式为:,n1为1~10中任一整数;
化合物Ⅱ的化学结构式为:,n2为1 ~6中任一整数;
化合物Ⅲ的化学结构式为:,n3为1~6中任一整数。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的基于乙烯基醚液晶/高分子全聚合量子点薄膜的制备方法,其特征在于,紫外聚合丙烯酸酯单体混合物为混合物X、混合物Y或混合物Z;
其中,混合物X是取乙氧化双酚A二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、甲基丙烯酸十二烷基酯和羟丙基丙烯酸酯混合后所得;
混合物Y是取乙氧化双酚A二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、2-(全氟辛基)乙基甲基丙烯酸酯和1H,1H-全氟丙基甲基丙烯酸酯混合后所得;
混合物Z是取乙氧化双酚A二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、甲基丙烯酸十二烷基酯、羟丙基丙烯酸酯、2-(全氟辛基)乙基甲基丙烯酸酯和1H,1H-全氟丙基甲基丙烯酸酯混合后所得。
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