[发明专利]半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：工艺腔室、真空管路及抽气装置；

所述真空管路设置于所述工艺腔室及所述抽气装置之间；

所述真空管路包括多个真空支路，多个所述真空支路的进气端分布于所述工艺腔室的底壁；多个所述真空支路的出气端均与所述抽气装置连接，所述抽气装置用于对所述工艺腔室抽真空。

2.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述真空管路上设置有流量调节器；

所述半导体设备还包括与所述流量调节器连接的控制器，所述控制器用于根据工艺腔室环境控制所述流量调节器的开合角度,以控制所述真空管路的气流量。

3.如权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述流量调节器包括多个第一流量调节器，多个所述第一流量调节器分别对应设置于多个所述真空支路上；

所述控制器用于根据工艺腔室环境控制各所述第一流量调节器的开合角度，以控制各所述真空支路的气流量。

4.如权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述真空管路还包括主管路，多个所述真空支路的出气端均通过所述主管路与所述抽气装置连接；

所述流量调节器包括第二流量调节器，所述第二流量调节器设置于所述主管路上；

所述控制器用于控制所述第二流量调节器的开合角度，以控制所述主管路内的气流量。

5.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺腔室环境包括工艺腔室结构及工艺模式，当所述工艺腔室结构为对称结构且所述工艺模式为恒压模式以及所述第一流量调节器的数量大于两个时，所述控制器用于控制任意两个所述第一流量调节器的开合角度相同且固定，并且将剩余的所述第一流量调节器设置为恒压模式。

6.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺腔室环境包括工艺腔室结构及工艺模式，当所述工艺腔室结构为非对称结构且所述工艺模式为恒压模式以及所述第一流量调节器的数量大于两个时，所述控制器用于控制任意两个所述第一流量调节器开合角度不同且固定，并且将剩余的所述第一流量调节器设置为恒压模式。

7.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺腔室环境包括工艺腔室结构，当所述工艺腔室结构为对称结构时，所述控制器用于控制各所述第一流量调节器开合角度相同且固定。

8.如权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述流量调节器的类型包括蝶阀。

9.如权利要求1至8的任一所述的半导体设备，其特征在于，多个所述真空支路的数量为三至五个，且各所述真空支路的内径为60～150毫米。

10.如权利要求9所述的半导体设备，其特征在于，多个所述真空支路的数量为三个，且各所述真空支路的内径为80毫米。