[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，包括由宽禁带氧化物半导体材料与非晶硅材料形成的半导体异质结，且所述宽禁带氧化物半导体材料与非晶硅材料的结界面设置有阻挡层，所述阻挡层用于阻挡宽禁带氧化物半导体材料中的元素向非晶硅材料扩散。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述半导体异质结包括：P型层、本征层和N型层，其中：

所述P型层为P型非晶硅层，所述本征层为本征非晶硅层；

所述N型层为N型宽禁带氧化物半导体层；

所述阻挡层设置在所述本征层和N型层之间。

3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括衬底、底电极、横向电极、保护层和顶电极，其中：

所述衬底、底电极、P型层、本征层、阻挡层、N型层、横向电极和顶电极从下至上依次层叠设置；

所述保护层覆盖所述半导体异质结以及所述横向电极的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面相对且垂直于所述衬底与底电极连接的表面。

4.根据权利要求3所述的光电探测器，其特征在于，所述保护层还覆盖所述横向电极远离所述衬底的表面；

所述保护层设有第一通孔，所述顶电极通过所述第一通孔和所述横向电极连接。

5.根据权利要求3所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述保护层的第三侧面和第四侧面，所述第三侧面和第四侧面相对且平行于所述第一侧面和第二侧面。

6.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述保护层还覆盖所述横向电极远离所述衬底的表面；所述平坦层还覆盖所述保护层远离所述衬底的表面；

所述保护层设有第一通孔，所述平坦层设有第二通孔，所述第一通孔和第二通孔贯通，所述顶电极通过所述第一通孔和第二通孔与所述横向电极连接。

7.根据权利要求1至6任一所述的光电探测器，其特征在于，所述宽禁带氧化物半导体材料包括以下任意一种：铟镓锌氧化物IGZO、氧化锌ZnO、二氧化钛TiO2、铟镓锌Y氧化物IGZYO和铟镓锌X氧化物IGZXO，其中，X和Y表示掺杂锡，且X和Y掺杂的比例不同。

8.一种光电探测器的制备方法，包括：

在衬底上制备底电极；

在所述底电极上依次制备P型层和本征层；

在所述本征层上制备阻挡层；

在所述阻挡层上依次制备N型层和横向电极，所述P型层、本征层和N型层构成由宽禁带氧化物半导体材料与非晶硅材料形成的半导体异质结，所述阻挡层用于阻挡宽禁带氧化物半导体材料中的元素向非晶硅材料扩散；

在所述横向电极上制备保护层和顶电极，所述保护层覆盖所述半导体异质结以及所述横向电极的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面相对且垂直于所述衬底与底电极连接的表面。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述P型层为P型非晶硅层，所述本征层为本征非晶硅层；所述N型层为N型宽禁带氧化物半导体层。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述底电极上依次制备P型层和本征层，在所述本征层上制备阻挡层，包括：

采用等离子体增强化学气相沉积PECVD法在所述底电极上沉积P型层，沉积的工艺温度在200摄氏度到300摄氏度之间；

更换腔室，使更换的腔室保持真空；

采用等离子体增强化学气相沉积PECVD法在更换的腔室内连续沉积所述本征层和所述阻挡层，沉积的工艺温度在200摄氏度到300摄氏度之间。