[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具有搭载有半导体元件的基板、和形成在所述基板上的金属图案，

所述金属图案具备：在所述基板上分离地设置的第1金属图案和第2金属图案、以及配置在所述第1金属图案和第2金属图案之间并在厚度方向上贯通所述基板的贯通电极，

所述第1金属图案和所述第2金属图案的一部分与所述贯通电极的上表面接触，所述第1金属图案、所述第2金属图案及所述贯通电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述第1金属图案、所述第2金属图案以及所述贯通电极上配置有连续的镀层，通过所述镀层，所述第1金属图案、所述第2金属图案以及所述贯通电极电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述第1金属图案和所述第2金属图案之间的所述贯通电极上设有槽，所述镀层还覆盖所述槽的内壁。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述槽的宽度比未配置所述贯通电极的区域的所述第1金属图案和所述第2金属图案之间的间隔窄。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述第1金属图案和所述第2金属图案之间的所述贯通电极上，成膜有抗蚀剂层。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1金属图案形成为包围所述半导体元件的形状，

所述第2金属图案形成为包围所述第1金属图案的形状。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具有：第1密封树脂，其密封所述基板上的比所述第1金属图案的外侧的周缘靠内侧的区域；以及第2密封树脂，其密封比所述第2金属图案的外侧的周缘靠内侧的区域。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第1金属图案和第2金属图案包含铜层，所述镀层覆盖所述铜层的上表面及侧面。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

在基板的整个表面上形成金属层，该基板具备在厚度方向上贯通的贯通电极；

将所述金属层蚀刻成在所述贯通电极上以规定宽度分离且均与所述贯通电极接触的第1金属图案和第2金属图案的形状，并且在分离的所述第1金属图案和第2金属图案的间隙的下方的所述贯通电极的上部形成槽；以及

从所述基板的背面侧经由所述贯通电极向所述第1金属图案和第2金属图案同时供给电流，通过电解电镀，形成覆盖所述第1金属图案、所述第2金属图案之上和所述槽的内壁的镀层。