[发明专利]倒序编程的源极侧预充电和升压改进

权利要求书

1.一种装置，包括：

NAND串的三维存储器阵列，每个NAND串包括：

在所述NAND串的源极侧上的源极侧选择栅极，所述源极侧选择栅极被配置为将所述NAND串耦接到源极线；

在所述NAND串的漏极侧上的漏极侧选择栅极，所述漏极侧选择栅极被配置为将所述NAND串耦接到位线；

一组存储器单元，所述组存储器单元沿着所述NAND串定位在所述源极侧选择栅极与所述漏极侧选择栅极之间，所述存储器单元耦接到字线；和

沟道，所述沟道从所述NAND串的所述源极侧延伸到所述漏极侧；和

管芯控制器，所述管芯控制器被配置为在程序存储操作的预充电阶段期间减少所述NAND串的所述沟道中的电势梯度的形成。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述三维存储器阵列包括：

至少一个虚设字线，所述至少一个虚设字线定位在每个NAND串的所述源极侧选择栅极与所述字线之间，所述至少一个虚设字线经由虚设字线选择栅极耦接到每个NAND串的所述沟道；

其中所述源极侧选择栅极具有第一阈值电压，并且所述虚设字线选择栅极具有第二阈值电压；并且

其中所述管芯控制器包括放电电路，所述放电电路被配置为在响应于所述第一阈值电压大于所述第二阈值电压而使所述至少一个虚设字线选择栅极放电之后，使所述源极侧选择栅极放电。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述源极侧选择栅极包括耦接到每个NAND串的多个源极侧选择栅极，所述多个源极侧选择栅极沿着所述NAND串定位在所述源极线与所述至少一个虚设字线之间，所述多个源极侧选择栅极中的每个具有不同的阈值电压；并且

其中所述管芯控制器包括所述放电电路，所述放电电路被配置为在使所述多个源极侧选择栅极中的其它源极侧选择栅极放电之后，使所述多个源极侧选择栅极中具有最高阈值电压的源极侧选择栅极放电。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述管芯控制器被配置为从最靠近所述漏极侧选择栅极的字线开始并按从所述漏极侧选择栅极朝向所述源极侧选择栅极的顺序行进，对所述三维存储器阵列的字线进行编程，并且其中所述预充电阶段包括源极侧预充电阶段。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述放电电路包括定时电路，所述定时电路被配置为对所述至少一个虚设字线和所述源极侧选择栅极的放电序列进行排序，使得所述至少一个虚设字线选择栅极响应于所述第一阈值电压大于所述第二阈值电压而在所述源极侧选择栅极之前放电，并且其中选定字线在所述至少一个虚设字线选择栅极之前放电。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述三维存储器阵列包括：

至少一个虚设字线，所述至少一个虚设字线定位在每个NAND串的所述源极侧选择栅极与所述字线之间，所述至少一个虚设字线经由虚设字线选择栅极耦接到每个NAND串的所述沟道；

其中所述源极侧选择栅极具有第一阈值电压，并且所述虚设字线选择栅极具有第二阈值电压；并且

其中所述管芯控制器包括放电电路，所述放电电路被配置为在所述预充电阶段期间使所述源极侧选择栅极和所述至少一个虚设字线同时放电；并且

其中所述放电电路被配置为将负尖峰施加到所述虚设字线选择栅极，并且使所述至少一个虚设字线选择栅极和所述源极侧选择栅极同时放电，所述负尖峰响应于所述第一阈值电压大于所述第二阈值电压而施加。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述管芯控制器被配置为从最靠近所述漏极侧选择栅极的字线开始并按从所述漏极侧选择栅极朝向所述源极侧选择栅极的顺序行进，对所述三维存储器阵列的字线进行编程，并且其中所述预充电阶段包括源极侧预充电阶段。