[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，包括：

(a)向在表面露出氮化膜及导电性的含金属元素膜中的至少任一基底的衬底供给不含氧化气体的第1处理气体，从而在所述基底上以第1厚度形成含有硅、碳及氮而不含氧的第1膜的工序；以及

(b)向所述衬底供给含有氧化气体的第2处理气体，从而在所述第1膜上以比所述第1厚度厚的第2厚度形成含有硅、氧及氮的第2膜的工序，

在(b)中，来自于从所述第1膜的表面朝向所述基底扩散的所述氧化气体的氧原子由所述第1膜吸收，使所述第1膜改质。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使在(a)中形成的所述第1膜中的碳浓度高于氮浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，所述第1处理气体包含含硅气体和含氮及碳气体，

在(a)中，非同时地向所述衬底供给所述含硅气体和所述含氮及碳气体，从而形成碳氮化硅膜作为所述第1膜。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，所述含硅气体包含卤代硅烷系气体，所述含氮及碳气体包含胺系气体及有机肼系气体中的至少任一者。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使所述第1厚度为0.05nm以上0.15nm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第2处理气体包含含硅气体、含氮气体及含氧气体，

在(b)中，非同时地向所述衬底供给所述含硅气体、所述含氮气体及所述含氧气体，从而形成碳氮氧化硅膜或氮氧化硅膜作为所述第2膜。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，所述含氮气体包含含氮及碳气体，

在(b)中，形成碳氮氧化硅膜作为所述第2膜。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，所述含硅气体包含卤代硅烷系气体，所述含氮及碳气体包含胺系气体及有机肼系气体中的至少任一者。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，所述含氮气体包含含氮及氢气体，

在(b)中，形成氮氧化硅膜作为所述第2膜。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，所述含硅气体包含卤代硅烷系气体，所述含氮及氢气体包含氮化氢系气体。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在(b)中，将所述第1膜中包含的碳原子的至少一部分置换为氧原子。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在(b)中，使所述第1膜改质为碳氮氧化硅膜或氮氧化硅膜。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在(b)中，使所述第1膜改质为氧浓度高于氮浓度的碳氮氧化硅膜或氮氧化硅膜。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在(b)完成的时间点，使所述第1膜的整体成为改质成碳氮氧化硅膜或氮氧化硅膜的状态。

15.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在(b)中，使所述第1膜改质为不含碳的氮氧化硅膜。

16.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在同一处理室内进行(a)及(b)。

17.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其还具有(c)在进行(a)之前，在所述衬底的表面形成所述氮化膜作为所述基底的工序，

在同一处理室内至少依次进行(c)及(a)。