[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中形成有凹槽；

填充所述凹槽，形成位于所述凹槽中的牺牲层；

形成位于所述牺牲层上的底部电极，所述底部电极的部分边界位于所述凹槽上方，部分延伸至所述凹槽外周的所述衬底上；

形成位于所述底部电极露出的所述衬底上并与所述底部电极侧壁相接触的平坦层，所述平坦层的顶面和所述底部电极的顶面相齐平；

形成覆盖所述底部电极和平坦层的压电层；

在所述压电层上形成顶部电极，压电声学共振叠层包括底部电极、压电层和顶部电极；

形成贯穿所述压电声学共振叠层的释放孔；

通过所述释放孔去除所述牺牲层，形成空腔。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述平坦层的形成方法包括：在所述凹槽外周的所述衬底上形成第一子平坦层，所述第一子平坦层与所述底部电极围成间隙，所述第一子平坦层的顶面和所述底部电极的顶面相齐平；

在所述间隙中形成第二子平坦层，所述第二子平坦层的顶面和所述底部电极的顶面相齐平。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：通过所述释放孔去除所述第二子平坦层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第二子平坦层和所述牺牲层的材料相同。

5.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述底部电极的材料与所述第一子平坦层的材料相同，在同一步骤中，形成所述底部电极和所述第一子平坦层；

或者，所述第一子平坦层的材料为绝缘材料。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述顶部电极的部分边界位于所述凹槽上，部分延伸至所述凹槽外周的所述衬底上。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述平坦层之后，在所述平坦层露出的区域中形成底部电极；

或者，形成位于所述牺牲层上并延伸覆盖所述凹槽外周的部分所述衬底的底部电极之后，在所述底部电极露出的区域中形成平坦层。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述底部电极后，通过金属剥离工艺形成所述平坦层，或者，形成所述底部电极后，通过相应材料的沉积和平坦化处理，形成所述平坦层。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，无效区的所述顶部电极与所述底部电极相互错开。

10.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述间隙沿有效谐振区的边界延伸。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一子平坦层与所述顶部电极的部分边界围成封闭的环形间隙；或者，所述第一子平坦层与所述顶部电极的部分边界围成具有间隙的环形。

12.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底中形成凹槽后，形成位于所述凹槽中的牺牲层之前，所述制造方法还包括：在所述衬底上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层还保形覆盖所述凹槽的底部和侧壁。

13.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅、碳、含碳化合物和锗中的一种或多种，其中，所述含碳化合物中的碳原子百分比含量大于50％。

14.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述平坦层的材料包括氧化硅、氮化硅、碳、含碳化合物和锗中的一种或多种，其中，所述含碳化合物中的碳原子百分比含量大于50％。

15.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述间隙的宽度是1纳米至100纳米。