[发明专利]集成电路装置、制造其的方法以及半导体图像传感装置

权利要求书

1.一种集成电路(IC)装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

光电二极管，形成于所述半导体衬底内；

金属内连线结构，形成于所述半导体衬底上；以及

反射器，形成于所述光电二极管上方的所述金属内连线结构内；

其中所述反射器接地。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述反射器接地到所述半导体衬底。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述反射器通过所述金属内连线结构中的金属化层接地。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于：

晶体管形成在所述半导体衬底上；

层间介电层形成在所述晶体管周围和所述晶体管上方；

所述金属内连线结构包括由所述层间介电层与所述半导体衬底分隔开的第一金属化层；以及

所述反射器形成在所述层间介电层上。

5.一种半导体图像传感装置，其特征在于，包括：

辐射感测区，位于半导体衬底中，所述辐射感测区可操作以感测从所述半导体衬底的背侧投射的辐射；

反射器，定位在所述半导体衬底的前侧上，所述反射器可操作以将穿过所述半导体衬底的光反射回到所述辐射感测区；以及

与所述反射器的连接，所述反射器能够通过所述连接耦合到地面。

6.根据权利要求5所述的半导体图像传感装置，其特征在于，所述连接包含将所述反射器耦合到所述半导体衬底的接地区域的通孔。

7.根据权利要求5所述的半导体图像传感装置，其特征在于，所述反射器由低K介电层与所述半导体衬底间隔开。

8.一种制造集成电路(IC)装置的方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底中形成光电二极管阵列；

在所述半导体衬底上方形成介电层；

形成穿过所述介电层的通孔；

在所述介电层上方形成硬掩模；

使用所述硬掩模来选择性地刻蚀部分地穿过所述介电层的开口；

用金属填充所述开口；

使所述金属平坦化以形成反射器；以及

在所述介电层和所述反射器上方形成金属内连线层；

其中所述反射器连接到所述通孔中的一个或所述金属内连线层内的金属特征。

9.根据权利要求8所述的制造集成电路装置的方法，其特征在于，所述通孔中的至少一个将所述反射器连接到所述半导体衬底。

10.根据权利要求8所述的制造集成电路装置的方法，其特征在于，所述通孔中的至少一个将所述反射器连接所述半导体衬底的P⁺掺杂区域。